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四川省应用基础研究计划项目(2006J13-052)

作品数：2 被引量：7H指数：1
相关作者：徐明董成军段满益陈青云胡志刚更多>>
相关机构：四川师范大学中国科学院更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光电
  • 1篇光电薄膜
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇ALINN

机构

  • 2篇四川师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇董成军
  • 2篇徐明
  • 1篇周海平
  • 1篇胡志刚
  • 1篇陈青云
  • 1篇芦伟
  • 1篇魏屹
  • 1篇段满益

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇四川师范大学...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：6
2009年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
董成军陈青云徐明周海平段满益胡志刚
关键词：第一性原理电子结构光学性质
AlInN光电薄膜的研究进展被引量：1
2010年
AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考。
芦伟徐明董成军魏屹
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