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四川省应用基础研究计划项目(2006J13-052)
作品数:
2
被引量:7
H指数:1
相关作者:
徐明
董成军
段满益
陈青云
胡志刚
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相关机构:
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四川省应用基础研究计划项目
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Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算
被引量:6
2009年
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
董成军
陈青云
徐明
周海平
段满益
胡志刚
关键词:
第一性原理
电子结构
光学性质
AlInN光电薄膜的研究进展
被引量:1
2010年
AlInN三元合金是优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,具有优良的光学和电学性能,在光电子器件应用方面具有广阔的应用前景。详细评述了近年来AlInN薄膜材料在生长技术、晶体结构、表面形貌、热学特性、光电特性等方面的研究,为AlInN三元合金在光电方面的基础和应用研究提供了重要参考。
芦伟
徐明
董成军
魏屹
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