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北京市教育委员会科技发展计划(KM200610011005)

作品数:3 被引量:11H指数:2
相关作者:于广华滕蛟杨涛朱逢吾冯春更多>>
相关机构:北京科技大学昌吉学院北京工商大学更多>>
发文基金:北京市教育委员会科技发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇有序度
  • 1篇物理原理
  • 1篇颗粒膜
  • 1篇BN
  • 1篇CU掺杂
  • 1篇FE
  • 1篇FEPT
  • 1篇掺杂
  • 1篇垂直磁记录
  • 1篇磁记录
  • 1篇X

机构

  • 2篇北京科技大学
  • 1篇北京工商大学
  • 1篇昌吉学院

作者

  • 2篇李宝河
  • 2篇翟中海
  • 2篇冯春
  • 2篇朱逢吾
  • 2篇杨涛
  • 2篇滕蛟
  • 2篇于广华
  • 1篇安玲
  • 1篇马廷钧
  • 1篇陈未杰

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇大学物理

年份

  • 3篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Cu掺杂对Fe_xPt_(1-x)薄膜有序化的影响被引量:5
2006年
利用磁控溅射制备了薄膜厚度为50nm的系列(FexPt1-x)100-yCuy(x=0·46—0·56,y=0,0·04,0·12)样品.利用直流共溅射方法精确控制Fe和Pt的原子比.实验结果表明,当x>0·52时,样品中添加Cu不能促进FePt的有序化,但是对于FePt化学原子定比或富Pt的样品,添加Cu可以促进FePt有序化,而且随着Fe含量的减少,需要更多的Cu添加才能实现较低温度下FePt薄膜的有序化.实验结果表明,原子比(FeCu)/Pt达到1·1—1·2的范围时,即可实现较低温度的有序化.
李宝河冯春杨涛翟中海滕蛟于广华朱逢吾
关键词:磁控溅射有序度CU掺杂
高密度信息存储的物理原理被引量:2
2006年
介绍了只读光盘、磁光盘和相变光盘等高密度信息存储手段的物理原理.并以近场光存储技术、超分辨近场结构光盘技术为例,阐述了高密度信息存储技术的最新进展.
马廷钧陈未杰安玲
磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜被引量:5
2006年
用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了[FePt/BN]多层膜,经真空热处理后,得到具有垂直取向L10-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明,[FePt(2nm)/BN(0·5nm)]10和[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20多层膜经700℃热处理1h后,均具有较好的(001)取向.[FePt(1nm)/BN(0·25nm)]20垂直矫顽力达到522kA/m,剩磁比达到0·99,开关场分布S*达到0·94,FePt晶粒平均尺寸约15—20nm,适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质.
李宝河冯春杨涛翟中海滕蛟于广华朱逢吾
关键词:磁控溅射垂直磁记录
共1页<1>
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