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国家重点基础研究发展计划(ZM200002B01)

作品数:3 被引量:13H指数:1
相关作者:池卫英王亮兴张忠卫陈鸣波陈超奇更多>>
相关机构:上海空间电源研究所上海交通大学云南师范大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇电池研究
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层太阳电池
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇光电转换
  • 1篇光电转换效率
  • 1篇N型
  • 1篇GAAS/G...
  • 1篇GAINP
  • 1篇I-V特性

机构

  • 3篇上海空间电源...
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 3篇张忠卫
  • 3篇王亮兴
  • 3篇池卫英
  • 2篇彭冬生
  • 2篇涂洁磊
  • 2篇陈超奇
  • 2篇陈鸣波
  • 1篇陆剑峰
  • 1篇崔容强

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析被引量:1
2005年
分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.
涂洁磊王亮兴张忠卫池卫英彭冬生陈超奇
关键词:GAAS/GE太阳电池计算机模拟
GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池
2005年
从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.
王亮兴涂洁磊张忠卫池卫英彭冬生陈超奇陈鸣波
p-n型GaInP_2/GaAs叠层太阳电池研究被引量:12
2004年
报道了对p n型GaInP2 GaAs叠层太阳电池的研究结果 .采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品 .通过对GaInP2 顶电池中场助收集效应的计算机模拟 ,提出用p+ p- n- n+ 结构取代常用的p+ n结构 ,显著改善了GaInP2 顶电池和GaInP2 GaAs叠层太阳电池的光伏性能 ,使其光电转换效率 (Eff)分别达到 14 2 6 %和 2 3 82 %(AM0 ,2 5℃ ,2× 2cm2 )
陈鸣波崔容强王亮兴张忠卫陆剑峰池卫英
关键词:金属有机物化学气相沉积太阳电池光电转换效率
共1页<1>
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