湖南省自然科学杰出青年基金(12JJ1008)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学杰出青年基金湖南省高校科技创新团队支持计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 高硼含量的SiC陶瓷先驱体的合成和表征被引量：2
- 2013年
- 采用经典硼氢化反应,通过硼烷二级硫醚(BH3·SMe2)与二甲基二乙烯基硅烷(DVS)反应,合成了聚硼碳硅烷(PBCS)陶瓷先驱体,PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷.利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征;利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析.结果表明,聚合物的结构中含有B—C,Si—C和C—H键,在1000℃氮气气氛中,其陶瓷产率在50%以上.陶瓷产物在1100℃以无定形态存在,硼含量高达6.46%,在1300℃时出现明显结晶,形成B2O3,C和β-SiC三相组成的多元复相陶瓷,在1500℃以下陶瓷产物表面光滑,结构致密.
- 朱旖华王浩邵长伟
- 关键词：硼氢化反应
- C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究
- 2013年
- 采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。
- 王浩周卿军简科邵长伟朱旖华
- 关键词：SIC复合材料
