江苏省自然科学基金(BK2008174)
- 作品数：8 被引量：14H指数：3
- 相关作者：陆敏付凯于国浩王果姚昌胜更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学核科学技术医药卫生更多>>
- GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究被引量：2
- 2010年
- 通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型,得到非常好的拟合结果。实验发现,由于高阻层的存在,GaN肖特基探测器具有很高的信噪比,即使在可能的光淬灭效应的影响下,探测器在200V反向偏压下的信噪比仍可达到80左右。
- 付凯于国浩陆敏
- 关键词：GANX射线
- GaN基PIN结构X射线探测器被引量：4
- 2011年
- 使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对X射线响应的多方面性能。在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1 nA。对探测器的X射线的响应时间特性进行了分析和模拟,给出了很好的物理机制解释。研究了信噪比随外加偏压的变化,并得到了最佳信噪比对应的工作电压为-20 V。
- 付凯于国浩陆敏
- 关键词：GANX射线探测器信噪比
- 儿童特发性关节炎不同活动性分期的MRI表现
- 2019年
- 目的观察儿童特发性关节炎不同活动性分期的磁共振成像(magnetic resonance imaging,MRI)表现。方法选取我院收治的80例特发性关节炎患儿为研究对象,均行MRI检查,观察患儿MRI主要表现,并分析MRI表现和各活动性分期之间的关系。结果 80例患儿MRI检测均显示髌上囊积液,呈现清晰边界,并且T2WI脂肪抑制序列显示高信号;15例MRI增强扫描患儿均产生髌上囊滑膜增厚表现,并且增厚滑膜组织T1WI平扫呈稍低信号,T2WI平扫呈现出不均匀稍高信号,图像显示边缘欠光整,同时增强扫描T1WI相应脂肪抑制序列显示,增厚的滑膜呈明显强化,且以弧形包绕关节组织软骨边缘,和该软骨性关节面之间具有清晰分界,其中9例显现血管翳,包括急性活动期1例与亚急性活动期3例,均呈小结节状强化,迁延期2例与活动期1例表现出小结节状强化灶与呈条索状无强化影,稳定期1例与迁延期1例仅呈现条索状无强化影;髌上囊积液量与最厚层面滑膜厚度分布为:急性活动期>亚急性活动期>迁延期>稳定期,比较差异均有统计学意义(P<0.05);髌上囊积液量、最厚层面滑膜厚度均与关节炎活动分期呈正相关(P<0.05)。结论特发性关节炎患儿膝关节MRI表现出一定特征性,能够根据MRI表现判定关节炎所处活动性分期,可对患儿临床诊治提供重要参考。
- 赵俊王梅王颖
- 关键词：儿童特发性关节炎膝关节磁共振成像
- 自支撑GaN基核辐射探测器的Ⅰ-V特性研究
- 2011年
- 使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合;偏压从零偏向反偏扫描和从反偏向零偏扫描的曲线不重合性并没有正偏明显。测试并分析了PL谱图,得出I-V特性曲线不重合的原因是:从零偏到正偏的导电机制是热生载流子,正偏到零偏的导电机制是大注入的非平衡载流子。
- 王果付凯姚昌胜王金延陆敏
- GaN基光导型X射线探测器的光淬灭研究
- 2011年
- 利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形下的光电流响应实验对这一光淬灭以及电流值突变现象进行了分析和研究,光淬灭主要是由于空穴陷阱和复合中心作用产生,而在荧光灯关闭和开启的瞬间,电流值的突变是由于荧光中某种波长的紫外光激发价带中的电子跃迁至导带中所致。
- 姚昌胜付凯王果陆敏
- 关键词：GANX射线探测器
- GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
- 2010年
- 文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
- 陆敏于国浩张国光
- 关键词：GAN核探测器金属有机化学气相淀积氢化物气相外延
- SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响被引量：3
- 2012年
- 成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。
- 袁愿林姚昌胜王果陆敏
- 关键词：氮化镓PIN探测器钝化层
- 两种不同结构n型GaN基肖特基二极管电学特性
- 2010年
- 实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费米能级钉扎,且费米能级的钉扎对n型GaN材料表面的金半接触所形成的肖特基势垒高度起决定性作用;结果表明表面经过ICP刻蚀后,n型GaN表面的氧化层消除,价带中态密度增多,有利于载流子的遂道效应与金属较易形成欧姆接触。
- 于国浩付凯陆敏苑进社
- 关键词：肖特基二极管伏安特性
- GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究
- 通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出...
- 付凯于国浩陆敏
- 关键词：GANX射线
- 文献传递
