国家重点基础研究发展计划(G20000365)
- 作品数：41 被引量：98H指数：5
- 相关作者：林成鲁陈诺夫门传玲谢欣云杨少延更多>>
- 相关机构：中国科学院北京大学中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 闪速存储器的单管多位技术被引量：1
- 2004年
- 为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
- 李多力欧文
- 关键词：闪速存储器SONOS
- SCDI结构快闪存储器件Ⅰ:模拟与分析(英文)
- 2004年
- 研制成一种台阶沟道直接注入 (SCDI)器件 ,通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式 ,从而获得了高的编程速度和注入效率 ,降低了工作电压 .并对 SCDI器件结构和常规器件结构进行了模拟分析 ,提出了改进
- 欧文钱鹤
- 关键词：快闪存储器编程速度低电压
- 新的非平面Flash Memory结构(英文)
- 2002年
- 提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的 flash memory单元结构 ,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构 .对于栅长为 1.2μm flash单元 ,获得了在 Vg=15V ,Vd=5V条件下编程时间为 42 μs,在 Vg=-5V,Vs=8V条件下的擦除时间为 2 4ms的高性能 flash单元 ,这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多 .这种新结构
- 欧文李明钱鹤
- 关键词：非平面快闪存储器编程速度
- 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进被引量：3
- 2002年
- 采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力 。
- 谭利文王俊王启元郁元桓刘忠立邓惠芳王建华林兰英
- 关键词：热退火SOIMOCVD
- Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性
- 2003年
- 对普遍采用的氧化硅 /氮化硅 /氧化硅 ( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析 ,研究了 ONO的漏电特性以及顶氧 ( top oxide)和底氧 ( bottom oxide)的厚度对 ONO层漏电的影响 .结果表明 ,采用较薄的底氧和较厚的顶氧 ,既能保证较高的临界电场强度 ,又能获得较薄的等效氧化层厚度 ,提高耦合率 ,降低编程电压 .
- 欧文李明钱鹤
- 关键词：快闪存储器F1ASH漏电
- CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究
- 2005年
- 嵌入式FlashMemory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高FlashMemory的编程效率.
- 刘倜欧文
- 关键词：FLASHMEMORY漏电流
- 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：6
- 2003年
- 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁
- 关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜SOI结构
- 室温铁磁性半导体MnxGa(1-x)Sb被引量：3
- 2002年
- 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林王占国胡文瑞林兰英
- 关键词：铁磁性稀磁半导体磁滞回线晶体结构载流子浓度
- 平行平面穿通结击穿电压的计算及比较被引量：3
- 2001年
- 本文研究平行平面穿通结击穿电压的计算 .首先根据电离率积分方程得出以归一化外延层厚度为变量的穿通结击穿电压拟合表达式 ,然后以此为基础 ,比较了另两种解析方法计算穿通结击穿电压的结果 .分析表明 :校正临界电场法可给出与电离率积分模式一致的击穿电压 ,而经典临界电场法将导致较大的误差 .
- 何进张兴黄如王阳元
- 关键词：击穿电压微电子
- N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
- 2003年
- 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。
- 林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁
- 关键词：氧离子离子注入硅片计算机模拟
