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莆田市自然科学基金(2010G03)

作品数:6 被引量:37H指数:2
相关作者:郑志霞冯勇建黄元庆更多>>
相关机构:莆田学院厦门大学更多>>
发文基金:莆田市自然科学基金国际科技合作与交流专项项目福建省教育厅B类科技/社科项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇阳极键合
  • 3篇键合
  • 2篇压力传感器
  • 2篇力传感器
  • 2篇埋氧层
  • 2篇感器
  • 2篇SOI
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇导电
  • 1篇导光
  • 1篇电容
  • 1篇电容式
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇义齿
  • 1篇运算放大器
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列波导
  • 1篇阵列波导光栅
  • 1篇射频功率

机构

  • 6篇莆田学院
  • 4篇厦门大学

作者

  • 6篇郑志霞
  • 4篇冯勇建
  • 1篇黄元庆

传媒

  • 2篇厦门大学学报...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子测量与仪...
  • 1篇莆田学院学报

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究被引量:4
2012年
微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5mm,方块电阻为1.12Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法.
郑志霞冯勇建
埋氧层及铝层对SOI/玻璃静电键合的影响
2012年
介绍了SOI/Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象,利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚,键合电流越小,键合波扩散速度越小。提高键合电压,能有效增大键合电流及加快键合速度。实验也表明玻璃表面溅射铝层对键合产生较大影响。理论分析了产生这些现象的原因,得出埋氧层厚度和键合电压与静电力的关系式。还提出从阳极引一探针电极到SOI器件层,提高玻璃耗尽层与器件层之间电压,实现厚埋氧层SOI片与玻璃键合的方法。
郑志霞
关键词:阳极键合埋氧层
MEMS接触电容式高温压力传感器的温度效应被引量:29
2013年
介绍了一种基于SOI/硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构,并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后,对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明,传感器线性工作区压力为110~280kPa,灵敏度约为0.14pF/kPa;温度特性测试结果表明,传感器具有正温度效应,在30~300%,传感器输出误差约为0.5%。文中还分析了热胀冷缩及介电常数温度系数对传感器温度效应的影响,以及设计了参考电容及运算放大器式传感器测量电路来消除温度效应。
郑志霞冯勇建
关键词:传感器温度效应运算放大器
双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀
2012年
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层。ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体。控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30μm,宽度为50μm的深槽。该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义。
郑志霞
关键词:石英晶体阳极键合高深宽比刻蚀射频功率
用于义齿压力分布式测量的光纤MEMS压力传感器被引量:2
2012年
根据Fabry-Prot(F-P)腔的干涉原理,采用微机电系统(MEMS)工艺,研制出一种用于义齿压力检测的F-P腔光纤微型压力传感器。传感器膜片厚为6μm,膜片边长为100μm。在与义齿基托相同材料的树脂底基上,挖边长为1.2mm、深度为0.8mm平整的方形小坑,将传感器分布式埋植入底基,并用自制的施加压力的装置对传感器加压测试。用双波长方法解调干涉信号,用阵列波导光栅(AWG)复用传感器,从而实现对口腔义齿下方组织压力的分布式测量。测量结果表明,当义齿加载0~0.6MPa压力时,系统的相对反射率比值/压力可达0.020 1/MPa,测量结果具有良好的线性度,测量系统的复用能力强,且复用传感器之间没有串扰,适用于义齿对口腔下方组织压力的分布式测量。
郑志霞黄元庆冯勇建
关键词:义齿
埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进被引量:2
2012年
运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.
郑志霞冯勇建
关键词:绝缘体上硅阳极键合埋氧层脉冲电源
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