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青年科技基金(ND0206)

作品数：1 被引量：4H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇势垒
  • 1篇双势垒
  • 1篇隧穿
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇GAA
  • 1篇S-

机构

  • 1篇内蒙古大学

作者

  • 1篇班士良
  • 1篇宫箭
  • 1篇梁希侠

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs-Al_xGa_(1-x)As双势垒结构中电子共振隧穿寿命被引量：4
2005年
采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrdinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大.
宫箭梁希侠班士良
关键词：双势垒共振隧穿
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共1页<1>
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