国家杰出青年科学基金(50225010)
- 作品数：4 被引量：45H指数：4
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- 碳纤维诱导法制备SiC晶须的工艺及机理被引量：9
- 2007年
- 以碳化稻壳为原料、碳纤维为诱导相制备碳化硅晶须。用X射线衍射、电子显微镜分析所制晶须的组成和形貌。结果表明:晶须依附于碳纤维生长,实现了晶须与反应残余物的自动分离。晶须为纯β-SiC晶须,直径为0.5～2μm,长度为100～500μm,表面光滑,在晶须中没有发现夹杂物及球晶,晶须的获得率为100%。晶须尖端平整,未出现催化剂溶球,说明晶须以气相合成机制生长。从热力学角度阐述了晶须气相结晶生长的机理。
- 黄凤萍李贺军卢锦花李克智郭领军
- 关键词：碳化硅晶须碳纤维稻壳
- 用气相反应法制备C/C复合材料的梯度SiC涂层被引量：5
- 2007年
- 本文采用化学气相反应法(CVR)制备了C/C复合材料的梯度SiC涂层,对该梯度涂层的形成机理及抗氧化性能进行了试验研究。研究结果表明:Si渗入基体的速率对梯度涂层的形成产生直接的影响,当采用体密度较高的C/C基体时,得到了完整致密的梯度SiC涂层,生成的SiC为-βSiC,该涂层具有较好的高温抗氧化能力,在1500℃静态空气气氛中,氧化26小时后失重不超过2%。
- 黄凤萍李贺军李克智卢锦花黄荔海
- 关键词：气相反应C/C复合材料SIC涂层
- 用碳化稻壳制备碳/碳复合材料的SiC涂层被引量：4
- 2007年
- 以碳化稻壳为原料,采用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层。用X衍射仪、扫描电镜及能谱分析仪对SiC涂层晶相、微观形貌及成分进行了分析,并探讨了涂层的形成机理。研究结果表明:所制备的SiC涂层呈网状结构,以β-SiC为主,并含有少量的α-SiC,纯度较高;碳化稻壳中含有的纳米级的SiO2微晶是低温下制备SiC涂层及涂层呈网状结构的主要原因。
- 黄凤萍李贺军李克智胡志彪黄荔海
- 关键词：C/C复合材料SIC涂层
- 包埋浸渗/气相沉积二步法在C/C复合材料表面制备SiC涂层被引量：28
- 2007年
- 采用包埋浸渗法和化学气相沉积(CVD)法相结合在炭/炭(C/C)复合材料表面制备了SiC涂层,借助扫描电镜、能谱分析以及X射线衍射等检测手段对涂层的微观组织形貌、元素分布和物相组成进行了观察与分析.结果表明:包埋法制备的SiC涂层与C/C复合材料基体的界面处形成了梯度过渡层,CVD法制备的涂层十分致密,有效填充了包埋SiC涂层中的孔隙,因此,二步法制备的SiC涂层具有良好的防氧化性能,涂层试样在1500℃静态空气中氧化60h失重率仅为2.01%.试样失重的主要原因是其在高低温热循环过程中氧气从涂层中的微裂纹扩散至基体表面,从而引起基体氧化所致.
- 王标李克智李贺军付前刚王翔兰逢涛
- 关键词：C/C复合材料化学气相沉积
