国家教育部博士点基金(20096118120009)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：西安理工大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响被引量：4
- 2011年
- 通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。
- 林涛林楠马新尖郑凯马晓宇
- 关键词：半导体激光器调制特性寄生参数
- 单晶硅太阳电池电致发光缺陷及工艺影响因素分析被引量：3
- 2013年
- 通过实验对比的方法对单晶硅太阳电池电致发光(EL)缺陷及不同工艺的影响进行了分析,测试了电池片的开路电压、短路电流、填充因子、光电转换效率等性能参数,并统计了太阳电池片的EL缺陷比例。实验发现浆料组分配比、烧结工艺稳定性及硅片质量是引起太阳电池EL缺陷的主要原因,浆料质量、丝网印刷工艺参数、烧结温度稳定性及镀膜工艺的减反射及钝化效果也对太阳电池的光电转换效率存在一定的影响。在此基础上,通过分析建议改善烧结工艺稳定性,采用性能更好的浆料和硅片,优化丝网印刷参数及氨气和硅烷流量比,来改善太阳电池EL缺陷,提高太阳电池的光电转换效率和合格率。
- 马新尖林涛
- 关键词：太阳电池电致发光浆料硅片
- 量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响被引量：1
- 2012年
- 研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。
- 林涛林楠马新尖郑凯马骁宇
- 关键词：量子阱混杂光致发光谱半导体激光器
