国家自然科学基金(60277008)
- 作品数：51 被引量：86H指数：6
- 相关作者：叶玉堂吴云峰刘霖王昱琳范超更多>>
- 相关机构：电子科技大学南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 脉冲激光微细加工曝光区温度的不接触测量被引量：1
- 2007年
- 针对大功率脉冲激光微细加工区域工作激光对辐射测温的影响,提出在周期脉冲激光的间隙内提取温度信号的新方法,应用采样保持原理,研制相应的测量系统,通过温度定标,从A/D采样值直接读取温度值。结果表明,该温度测量系统能有效地消除工作激光对温度测量的干扰,准确地测量曝光区域的温度,在温度为500℃左右时,系统的温度分辨能力可达0.03℃,能满足激光扩散、激光合金等工艺要求。
- 王小林王昱林徐攀叶玉堂吴云峰刘霖范超焦世龙
- 关键词：采样保持
- 利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs的反应启动时长被引量：1
- 2007年
- 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法．该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放，从而引起材料表面液膜温度变化这一特点，通过红外热成像实时监测系统，采集液膜温度变化过程的红外热像，从而判断反应启动时长．实验发现，2mm宽线形液膜是较为理想的监测对象，因其同时具备温度变化信息和空间分布信息，可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点；由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜，温度变化灵敏度高，GaAs竖直放置，可以避免液膜重力对启动时长的影响，获得更为准确的监测数据．在本实验条件下，由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4：H2O2：H2O（=5：1：50和15：3：50）腐蚀液的反应启动时长分别约为0．2S和0.3-0.4s之间．该方法的提出，对于快速刻蚀技术以及固．液吸附等性能研究均具有重要价值．
- 刘霖叶玉堂吴云峰方亮陆佳佳
- 关键词：红外辐射液滴液膜砷化镓
- 20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器噪声系数眼图
- 10Gb/s GaAs PHEMT高增益光接收机前置放大器(英文)被引量：2
- 2007年
- 基于南京电子器件研究所0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种高增益级联式光接收机前置放大器.作为前级的跨阻抗放大器的-3dB带宽为10GHz,小信号增益为9dB;作为后级的分布式放大器的-3dB带宽接近20GHz,小信号增益为12dB;级联前置放大器小信号增益达21.3dB,跨阻增益为55.3dBΩ,在输入10Gb/s非归零伪随机二进制序列下,放大器输出眼图清晰、对称、信噪比优于跨阻放大器,分布放大器不能校正的输入波形失真也得到显著改善.
- 焦世龙杨先明赵亮李辉陈镇龙陈堂胜邵凯叶玉堂
- 关键词：GAASPHEMT光接收机前置放大器眼图
- 激光辐照下GaAs表面腐蚀液滴自然浸润过程及其边缘刻蚀特性被引量：1
- 2007年
- 研究了激光辐照下GaAs表面酸性腐蚀液滴的浸润及其腐蚀特性,实验获得了激光辐照下H_2SO_4-H_2O_2液滴在GaAs表面的浸润过程以及液滴边缘方位、晶体取向等差异对GaAs半导体表面刻蚀效果的影响,得到了有价值的结论。实验结果表明,腐蚀液液滴在GaAs表面随着时间向外扩散,腐蚀现象由中心向四周逐渐减弱,并在边缘部分出现不完全腐蚀现象;通过对同一液滴的不同位置的边缘进行观察发现液滴边缘的腐蚀图样不完全相同,由于晶体的各向异性使腐蚀图样具有明显的方向性,此结论对半导体器件的加工工艺起着重要的理论补充作用。
- 田骁叶玉堂刘霖陈镇龙罗颖王昱琳
- 关键词：GAAS刻蚀
- 利用线形液膜的红外热像测定GaAs的湿法化学腐蚀启动时长被引量：2
- 2007年
- 提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热像新方法.该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放,从而引起材料表面液层温度变化这一特点,通过红外热像实时监测系统,采集液层温度变化过程的红外热像,从而判断反应启动时长.理论分析和实验结果均表明,宽度为2mm的呈直线形状的GaAs表面酸性液膜是较为理想的监测对象,因其同时具备温度变化信息和空间分布信息,可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点;由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜,降低膜厚影响,温度变化灵敏度高,GaAs竖直放置,可以表面避免液膜重力对启动时长的影响,并经反复实验,由线形液膜的横向剖面灰度变化得到在本实验条件下,GaAs材料与H2SO4∶H2O2∶H2O(5∶1∶50)腐蚀液的反应启动时长约为0.2s.该方法的提出,对于化学反应时间控制、快速腐蚀技术以及化学吸附等性能研究均具有重要价值.
- 刘霖叶玉堂吴云峰方亮陆佳佳陈镇龙
- 关键词：砷化镓
- 杂质Zn在InP中的扩散机制被引量：1
- 2005年
- 介绍了杂质Zn在InP中的两种扩散机制,间隙-替代机制和Kick-out机制。InP为n型时,扩散机制为间隙-替代式;InP为p型时,扩散机制为Kick-out式。重点介绍了三种不同模型,解释Zn在InP中通过间隙原替代机制进行扩散时,空穴浓度与Zn浓度不同的原因,并评价了三种模型。
- 赵爱英叶玉堂吴云峰王昱琳张雪琴范超焦世龙
- 关键词：INPINPZNP型
- 激光化学诱导液相腐蚀新方法被引量：4
- 2005年
- 提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法——抗蚀膜掩蔽法。抗蚀膜掩蔽法是指在激光腐蚀中,用抗蚀膜来实现对激光腐蚀区域的控制。理论分析和实验结果都表明,抗蚀膜掩蔽法可以有效地控制激光化学腐蚀的图像形状;因不需要对激光光束进行聚焦,光传播垂直于基片表面,制作出的腐蚀孔侧壁可以具有很高的垂直度;利用激光光束中心区域能量分布近似均匀的特点,使小面积腐蚀区域的腐蚀速率近似相等,腐蚀面内各点没有明显的高度差。因为以上优点,抗蚀膜掩蔽法能克服现有激光腐蚀方法的诸多弊端,简化激光腐蚀工艺,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。
- 刘霖叶玉堂赵素英刘娟秀范超吴云峰王昱琳
- 关键词：光电子半导体化合物
- 基于免疫遗传算法的二元光学元件的位相设计被引量：10
- 2006年
- 在激光诱导扩散中,需要利用二元光学元件对激光器输出的高斯光束进行整形,以实现曝光区的温度分布均匀化。为了得到二元光学元件的位相分布,采用免疫遗传对相位分布进行设计。免疫遗传算法中采取变频率的交叉操作、变异操作,克服了遗传算法在局部搜索解空间上效率差的缺点,并使算法跳出局部极大值的能力得到了增强。采取由正向记忆细胞库提取的免疫疫苗对抗体群进行接种,使群体的进化方向得到引导,提高了算法的进化效率;采取由反向记忆细胞库提取的劣化疫苗对抗体群进行反向接种,减少算法的重复运算,极大地抑制了群体退化;采用B、T细胞的作用机制,保持群体在进化过程中的多样性,很大程度上抑制了算法未成熟收敛。运算结果表明,免疫遗传算法较遗传算法具有更高的算法效率和更强的寻优能力。最后考虑到实际加工,对最优解做适当调整得到了更适合于实际加工的二元光学元件的位相分布。
- 方亮叶玉堂吴云峰陆佳佳杨先明成志强
- 关键词：二元光学元件免疫算法遗传算法免疫疫苗
- 微小激光加工区辐射测温准确性的提高被引量：1
- 2006年
- 利用辐射测温系统进行温度测量时,所测温度的准确性及分布细节会受多种因素的影响,使得实验测得的温度分布远远低于实际值,为了提高温度测量的准确性,提出了一种估计真实温度分布的新方法。这种方法主要包括:将原有探测器更改为带单模尾纤式探测器、减小光接收面面积、将原有的透镜更改为红外消像差透镜,最后利用图像复原技术中的—Lucy-Richardson算法求出最佳真实温度分布估计。其中前4个步骤有效的提高了测温分布细节,实验测得微小面元温度分布半宽值仅21μm,远远小于之前测得的半宽值;Lucy-Richardson算法则将温度分布中被点扩展函数卷积掉的高温部分复原回来,实验测得微小面元温度分布在复原后温度最高值高出复原前最高值近100℃。实验证明这种方法有效的提高了测温准确性。
- 赵爱英叶玉堂吴云峰王昱琳张雪琴范超焦世龙
- 关键词：辐射测温温度分布激光微加工
