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贵州省自然科学基金(J[2011]2323)
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
相关作者:
谢泉
张晋敏
陈茜
肖清泉
沈向前
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谢泉
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2013
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Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜
被引量:4
2013年
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
肖清泉
谢泉
沈向前
张晋敏
陈茜
关键词:
半导体薄膜
MG2SI
磁控溅射
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