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Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究: 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响。Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)／(204)等主衍射峰的位置和...; 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图; 关键词：XRD; 文献传递

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响: 2002年; 我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级。; 许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆Luo E ZSundaravel BWilson I H; 关键词：退火离子注入 GAN 深能级光学性质电子陷阱

太阳电池测试系统及其参数匹配优化研究被引量：9: 2007年; 为了获得太阳电池的I-V特性曲线及特性参数，利用Visual C＋＋语言开发出基于Windows平台的太阳电池测试软件系统，并对基于补偿原理的I-V测试电路参数匹配进行了详细分析。电路中串联电阻及桥式直流电源对电池的暗特性影响变化不大，但可使光特性I-V曲线发生显著变化。通过参数匹配的调整与优化，测量数据与电池的标准数据基本吻合，其误差仅为1％～2％，表明该测试软件系统满足实际使用要求，为电池性能分析提供了准确的依据。; 蔡建文李萍萍徐传明黄文浩; 关键词：太阳电池测试系统

Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光被引量：13: 2003年; 几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。; 许小亮徐军徐传明杨晓杰郭常新施朝淑; 关键词：ZNO薄膜硅衬底薄膜生长氧化锌薄膜高温退火

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构被引量：8: 2003年; 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 .; 徐传明许小亮闵海军徐军杨晓杰黄文浩刘洪图; 关键词：CIGS

Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究被引量：2: 2004年; 讨论了 Ga含量对四元有序缺陷化合物 Cu(In,Ga) 3Se5薄膜的晶格振动模式的影响 ,室温下 Cu In3Se5与 Cu-Ga3Se5A1 模式峰位分别位于 15 3cm- 1 和 16 4 cm- 1 ,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子 Se位移参数的增加 ,相应改变了 Cu- Se以及 In/ Ga- Se的键长及其键拉伸力学常数 ,从而影响了 A1; 徐传明许小亮徐军杨晓杰左健党学明冯叶黄文浩刘洪图; 关键词：晶格振动 RAMAN散射

p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展被引量：14: 2003年; ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段。即p型ZnO和ZnO p-n结的制备与特性研究。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂。本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnO p-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnO p-n结所面临的问题。; 许小亮杨晓杰付竹西; 关键词：P-N结 ZNO 发光二极管激光器件半导体材料

Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究: 2006年; 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.; 徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图; 关键词：XRD

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安徽省自然科学基金(0046506)