公共文化服务平台

LiF-NaF-KF熔盐中石墨基体上电沉积TiB2镀层的研究: 2007年; 通过直流电沉积技术在LiF-NaF-KF熔盐体系中，以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合良好的TiB2镀层。研究表明，当电流密度为0．4～0．8A／cm^2，能够得到TiB2镀层。随着电流密度的增加，浓差极化作用逐渐显著，带来的负面影响是镀层边角效应也逐渐明显，这使得厚度均匀性下降；但过电位的增加又会导致镀层晶粒变得更为细小，这就削弱甚至足以弥补浓差极化对镀层表面平整度造成的负面影响，结果就是平整度随电流密度增加而得以改善。综合考虑，适宜的电流密度应控制在0．6A／cm^2，在该条件下，涂层由相对纯净的TiB2组成且表现出强的（110）面择优取向。涂层横截面上硬度分布范围为2986～3056HV0.1，表明涂层比较致密均匀。; 李军李冰; 关键词：电沉积二硼化钛

熔盐体系中电沉积制备TiB_2镀层的研究现状被引量：2: 2004年; 介绍了熔盐体系中电沉积制备TiB2镀层技术中熔盐的选择、电镀工艺和参数的选择,概述了不同熔盐体系中B离子、Ti离子在阴极沉积的电化学机理以及TiB2的合成机理,论述了TiB2惰性阴极在铝电解工业中的研究现状,最后分析了熔盐体系中石墨电极上制备TiB2镀层的可行性。; 李军李冰叶以富孙颖庞厚君; 关键词：镀层电沉积电镀工艺 TIB2 石墨电极

LiF-NaF-KF熔盐中石墨基体上电沉积TiB2镀层的研究: 通过直流电沉积技术在 LiF-NaF-KF 熔盐体系中,以 KTiF和 KBF作为活性物质在石墨基体上制备了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合良好的 TiB镀层．研究表明,当电流密度为0．4～0．8 A/cm...; 李军李冰; 关键词：电沉积二硼化钛; 文献传递

在石墨基体上电沉积TiB_2镀层的研究被引量：11: 2004年; 采用K2TiF6-KBF4-KF-KCl融盐体系在石墨基体上电沉积制备TiB2镀层。考察了预电解条件和电活性组分的含量对镀层性能的影响。实验结果表明预电解对镀层的组成影响较大;在K2TiF6与KBF4的摩尔比为12.5,并且其总含量较高的条件下,镀层与基体结合力好,重复性好,但是晶粒较大,含有少量杂质;在K2TiF6与KBF4的摩尔比为17.5,并且其总含量较低的条件下,得到的镀层晶粒细小,有金属光泽,TiB2的纯度很高,但是重复性较差。需要进一步进行电化学实验,明确电沉积的机理。; 李冰邱竹贤李军叶以富赵祖欣; 关键词：石墨电沉积 TIB2 镀层

高择优取向TiB_2电沉积层的制备及其表征被引量：6: 2006年; 在KF-KCl体系中通过电沉积方法(直流电沉积CCP和周期断开电流电沉积PIC),以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备了高择优取向的TiB2镀层。用X射线衍射(XRD)研究了阴极电流密度对TiB2镀层晶粒尺寸、择优取向、微观应力及晶格常数的影响。结果表明,晶粒尺寸随电流密度增加而变小,这是过电位增加提高了形核速率所致,相对CCP而言,PIC制备的TiB2镀层具有更小的晶粒,这是因为PIC通过增加扩散层内离子的浓度减弱了浓差极化,提高了形核率所致;本实验条件下制备的TiB2镀层择优取向均为(001)面,这可用二维晶核理论来解释;无论CCP还是PIC,制备的TiB2镀层的晶格常数均和理论值有所偏差,这是镀层中存在的应力引起的;另外,还通过热力学预测、XRD和界面能谱(EDS)证实了镀层和基体间的结合为物理结合,界面处的裂纹可能是镀层和基体间热膨胀系数存在差异造成的。; 李军李冰; 关键词：电沉积二硼化钛镀层

LiF-NaF-KF-K_2TiF_6-KBF_4熔体中电沉积TiB_2的阴极过程被引量：2: 2006年; 采用循环伏安法研究了700℃时46.5LiF-11.5NaF-42KF(摩尔分数,%)熔盐中Ti(Ⅳ)(c(K2TiF6)=0.2 mol/L)和B(Ⅲ)(c(KBF4)=0.4 mol/L)在铂电极上的电化学还原机理,计算了各还原步骤传递的电子数。研究了LiF-NaF-KF-K2TiF6-KBF4(c(K2TiF4)=0.3 mol/L,c(KBF4)=0.3,0.6,0.9 mol/L)熔盐中电化学合成TiB2的阴极过程机理。结果表明:Ti(Ⅳ)的电化学还原为三步电荷传递反应,且阴极过程近似可逆;B(Ⅲ)在铂电极上的电化学反应机理为简单的三电子一步反应,阴极过程近似可逆;Ti(Ⅳ)和B(Ⅲ)可在同一电位下发生共沉积并反应生成TiB2。; 李军李冰; 关键词：二硼化钛电化学还原

在石墨基体上脉冲电镀TiB_2镀层被引量：1: 2004年; 采用KF KCl K2 TiF6 KBF4 和LiF KF NaF K2 TiF6 KBF4 熔盐体系 ,利用直流和脉冲电源在石墨基体上制备了TiB2 镀层。采用金相显微镜观察了镀层的厚度 ,用X射线衍射分析了镀层的组成 ,用扫描电镜观察了镀层的表面形貌。实验结果表明 :在LiF KF NaF K2 TiF6 KBF4 熔盐体系 ,当K2 TiF6 ∶KBF4 为 1∶4(摩尔比 ) ,脉冲电流幅度为 0 .45A·cm- 2 ,脉冲宽度为 85ms,脉冲间隔为 1 7ms时 ,得到的镀层致密、无裂纹、与基体的结合力很好、有金属光泽、TiB2 的纯度高。; 李冰李军徐金富赵祖欣; 关键词：石墨 TIB2 脉冲电镀直流电镀

铝电解质对TiB_2镀层的渗透被引量：2: 2005年; 采用熔盐体系在石墨基体上电沉积制备了TiB2 镀层将TiB2 镀层和铝电解阴极碳块和石墨分别作为阴极 ,考察了Na和电解质对其渗透腐蚀电解 4h后 ,由酚酞试剂检测表明 ,Na对TiB2 镀层的渗透深度为零 ,对阴极炭块的渗透深度为 16mm ,对石墨的渗透深度为 4mm 电子探针的分析结果指出 ,Na和F元素渗透到石墨基体的量很少 ,元素Al相对较多 ,TiB2 镀层阻碍了Na的产生并减缓了Na的渗透 ,但没有改变Na的渗透机理同时 ,镀层与基体的结合力良好 ,Al对TiB2 镀层的湿润性良好 .; 李冰邱竹贤李军徐金富; 关键词：钠铝电解质

钠和电解质对阴极炭块及TiB_2镀层的渗透被引量：5: 2004年; 把无烟煤阴极炭块和由电沉积得到的TiB2镀层作为阴极,在工业铝电解的条件下电解4小时,考察钠和电解质对它们的渗透腐蚀。实验结果表明:由酚酞试剂的检测钠对阴极炭块的渗透深度达到16mm,对TiB2镀层的渗透深度为零;钠和电解质主要渗透到阴极炭块的孔隙,钠比电解质渗透的深。由扫描电镜的分析结果表明:Na和F元素渗透到石墨基体的量很少,元素铝相对较多,TiB2镀层阻碍了钠的产生并减缓了钠的渗透,但没有改变钠的渗透机理。同时,镀层与基体的结合力是很好的,铝对TiB2镀层的湿润性很好。; 李冰邱竹贤李军徐金富; 关键词：阴极炭块 TIB2 镀层

Electrochemical reduction and electrocrystallization process of B(Ⅲ) in the LiF-NaF-KF-KBF_4 molten salt被引量：2: 2007年; The mechanisms of the electrochemical reduction and nucleation process of B（Ⅲ） on the platinum electrode in the LiF-NaF-KF-KBF4 molten salt at 700℃ were first investigated using cyclic voltammetry and chronoamperometry techniques. It was found that the electrochemical reduction of B（Ⅲ） occurs in single-step charge transfer： B（Ⅲ）＋ 3e → B, and the cathode process is reversible. The electrocrystallization process of B（Ⅲ） is instantaneous.; LI JunLI Bing; 关键词：BORON COATINGS

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(50204006)