国家科技攻关计划(2003DFBA0010)
- 作品数：3 被引量：32H指数：3
- 相关作者：王正军王拥军段关文燕东明李金富更多>>
- 相关机构：宿迁学院中国兵器工业第五二研究所更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>
- 工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响被引量：4
- 2007年
- 采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明：只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度（Tcom）,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制：低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.
- 李金富李康王拥军燕东明段关文
- 关键词：燃烧温度Β-SI3N4
- SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响被引量：4
- 2006年
- 本文采用自蔓燃高温合成方法（Self—propagating High—temperature Synthesis）简称（SHS）合成氮化硅粉体，借助于XRD、SEM等检测方法，分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明：只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度，就可以用SHS方法合成Si3N4；氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应，必须要引入Si3N4稀释荆，来控制反应温度，以获得高α相含量的粉体。压坯气孔率控制在30％～70％，否则反应不能进行。研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体。此法较传统方法合成的氮化硅设备简单，成本低廉，纯度高，填充性及烧结活性好。
- 王正军李金富燕东明王拥军段关文
- 关键词：Β-SI3N4
- 氮化硅陶瓷的研究进展被引量：25
- 2009年
- 氮化硅陶瓷是一种有广阔发展前景的高温高强度结构陶瓷.其具有高性能(如强度高、抗热震稳定性好、疲劳韧性高、室温抗弯强度高、耐磨、抗氧化、耐腐蚀性好等).已广泛应用于各行各业.氮化硅的制备方法主要有反应烧结法(RS)、热压烧结法(HPS)、常压烧结法(PLS)和气压烧结法(GPS)等.目前存在的主要问题是氮化硅陶瓷产品韧性低、成本较高.今后应改善制粉、成型和烧结工艺及氮化硅与碳化硅的复合化,研制出更加优良的氮化硅陶瓷.
- 王正军
- 关键词：氮化硅陶瓷反应烧结法热压烧结法
