江苏省自然科学基金(BK2008253)
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
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- 相关机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- CdTe纳米晶及层状纳米晶薄膜的生长及其光荧光性质被引量：2
- 2009年
- 用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(diallyldimethylammonium chloride)(PDDA)在Si衬底表面自组织生长了有序的层状纳米晶薄膜,荧光光谱研究了层状纳米晶体之间的共振能量迁移过程.结果表明:层状自组织生长的样品中纳米晶粒的间隔几乎一样,表明它们是有序排列的;而用直接干燥形成的样品中,小尺寸和大尺寸的纳米晶体之间间隔较短,发生荧光共振能量迁移,较小尺寸的纳米晶粒荧光峰(即波长较短处的晶粒荧光峰)部分淬灭,较大尺寸的荧光峰(即波长较长处的晶粒荧光峰)加强,使得PL谱出现明显的红移现象.
- 戴明廖远宝刘东甘新慧徐岭马忠元徐骏陈坤基
- 关键词：量子限制效应
- 脉冲激光晶化超薄非晶硅膜的分子动力学研究
- 2010年
- 利用准分子脉冲激光晶化非晶硅薄膜是制备高密度尺寸可控的硅基纳米结构的有效方法之一.本文将脉冲激光对非晶硅超薄膜的影响处理为热传导问题,采用了基于Tersoff势函数的分子动力学方法模拟了在非晶氮化硅衬底上2.7nm超薄非晶硅膜的脉冲激光晶化过程.研究了不同激光能量对非晶硅薄膜晶化形成纳米硅的影响,发现在合适的激光能量窗口下,可以获得高密度尺寸可控的纳米硅薄膜,进而模拟了在此能量作用下非晶硅膜中成核与生长的机理与微观过程,并对晶化所获得的纳米硅薄膜的微结构进行了分析.
- 陈谷然宋超徐骏王旦清徐岭马忠元李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：非晶硅分子动力学
- 相变存储材料Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结构和电学特性研究被引量：5
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、高度起伏小于10nm的突起;而对于Ge2Sb2Te5薄膜样品,其结构也从非晶态向多晶态转变,但表面形貌的变化不太明显.霍尔效应测量结果表明,无论是原始淀积的还是退火的样品,Ge1Sb2Te4薄膜的载流子浓度均比Ge2Sb2Te5高三个数量级以上,由此推论:Ge1Sb2Te4较高的电导主要来自其较大的载流子浓度.利用变温探针台测量了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5在相变前恒温条件下电阻随时间变化关系,结果表明在相同的恒温条件下Ge2Sb2Te5电阻保持时间更长,更加有利于数据的存储.
- 廖远宝徐岭杨菲刘文强刘东徐骏马忠元陈坤基
