安徽省高等学校优秀青年人才基金(2005jq1073)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：大连理工大学安徽工业大学更多>>
- 发文基金：安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- 基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究
- 2007年
- 通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法。试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大。最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量。
- 郎佳红秦福文顾彪
- 关键词：热电偶ECR-PEMOCVD蓝宝石RHEED
- 外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究
- 2006年
- 论述了反射高能电子衍射(RHEED)作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系,提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况,并从衬底α-Al2O3的等离子体清洗、氮化进行了具体的分析和演算。结论指出,RHEED不仅是进行外延薄膜原位监测,而且还可以作为分析外延薄膜晶体结构演变的一个有力手段。
- 郎佳红秦福文顾彪
- 关键词：蓝宝石氮化反射高能电子衍射
- 从RHEED图像间距分析外延GaN基薄膜表面晶格演变
- 2006年
- 通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,并从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算。
- 郎佳红秦福文顾彪
- 关键词：蓝宝石氮化RHEEDGAN
- 外延GaN基薄膜表面应变演变RHEED分析被引量：1
- 2009年
- 介绍了反射式高能电子衍射仪(RHEED)衍射原理以及半导体薄膜表面原子间距与其衍射图像间距成反比例关系。分析了采用ECR-PEMOCVD生长技术,在α-Al2O3衬底上低温外延GaN基薄膜(氮化层、缓冲层、外延层)工艺过程。通过对RHEED图像分析软件获取不同工艺过程中的外延薄膜衍射条纹间距的数据分析、计算、比较,得到薄膜表面衍射图像间距的大小,依据RHEED衍射图像与原子面间距之间的对应关系,分析薄膜表面的应变状态演变情况。分析计算结果表明生长20min氮化层、20min缓冲层的表面原子层处于压应变状态,而生长180min的AlN外延层,表面则处于完全弛豫状态。
- 郎佳红秦福文顾彪章家岩
- 关键词：晶格常数氮化镓氮化外延层
- 基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析被引量：1
- 2007年
- 通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算。结果表明衬底在清洗前后表面晶格常数基本保持一致,对于氮化层、缓冲层以及外延层情况,表面原子层处于应变状态。
- 郎佳红秦福文顾彪
- 关键词：氮化镓晶格
