上海市“科技创新行动计划”(12dz1201000)
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
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- 相关机构：上海太阳能电池研究与发展中心中国科学院西安工业大学更多>>
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- 不同衬底和CdCl_2退火对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：2
- 2013年
- 在科宁7059玻璃,FTO,ITO,AZO四种衬底上磁控溅射CdS薄膜,并在CdCl2+干燥空气380C退火,分别研究了不同衬底和退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.扫描电子显微镜形貌表明:不同衬底原位溅射CdS薄膜的形貌不同,退火后相应CdS薄膜的晶粒度和表面粗糙度明显增大.XRD衍射图谱表明:不同衬底原位溅射和退火CdS薄膜均为六角相和立方相的混相结构,退火前后科宁7059玻璃,FTO,AZO衬底上CdS薄膜有H(002)/C(111)最强衍射峰,ITO衬底原位溅射CdS薄膜没有明显的最强衍射峰,退火后出现H(002)/(111)最强衍射峰.紫外-可见分光光度计分析表明:AZO,FTO,ITO,科宁7059玻璃衬底CdS薄膜的可见光平均透过率依次减小,退火后相应衬底CdS薄膜的可见光平均透过率增大,光学吸收系数降低;退火显著增大了不同衬底CdS薄膜的光学带隙.分析得出:上述结果是由于不同衬底类型和退火工艺对CdS多晶薄膜的形貌、结构和带尾态掺杂浓度改变的结果.
- 张传军邬云骅曹鸿高艳卿赵守仁王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射
- 不同退火条件对磁控溅射CdS薄膜性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用磁控溅射法,在衬底温度300℃制备CdS薄膜,并选取370℃、380℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大;在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出:上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.
- 张传军邬云骅曹鸿赵守仁王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射热退火再结晶
- 肖特基势垒对CdS/CdTe薄膜电池J-V暗性能的影响
- 2013年
- 采用数学模拟方法分析了不同背接触势垒高度(φb)对于CdS/CdTe薄膜电池的J-V(电流密度-电压)方程的影响,得出了势垒高度与roll-over的变化对应关系.采用相应Cu/Mo背电极的CdS/CdTe薄膜电池在220—300K的变温J-V曲线的数值分析与理论分析相对照,分析了背势垒对于J-V曲线拟合参数的影响.修正了φb与反向饱和电流(Jb0)关系式,理论与实验符合得非常好.
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：CDSCDTE薄膜伏安特性肖特基势垒
- 基于双结模型非理想太阳能电池伏安特性参数数值分析
- 2013年
- 提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段,提取每段的4个关键参数:串联电阻(R s)、并联电阻(R sh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法,并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析,得到了比单结电流模型更多的参数,并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云骅曹鸿黄志明王善力褚君浩
- 关键词：CDTE薄膜伏安特性ROLLOVER
- 不同柔性衬底上CdS薄膜退火前后的性能比较被引量：2
- 2014年
- 采用磁控溅射法分别在柔性PI衬底、柔性AZO衬底和柔性ITO衬底上制备CdS薄膜,并在干燥空气中以CdCl2为源380℃退火,分别研究了不同柔性衬底及退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响。研究结果表明:退火前在不同柔性衬底上的CdS薄膜形貌依赖于衬底类型,退火后CdS薄膜的晶粒再结晶,晶粒度增大明显,且不再依赖于衬底类型。不同柔性衬底上CdS薄膜均为立方相和六角相的混相结构,退火后,六角相比例增大,薄膜的结晶质量提高。透过率退火后改善明显,其中,在柔性AZO衬底上的CdS薄膜透过率超过80%。
- 丛家铭潘永强邬云华张传军王善力
- 关键词：柔性衬底CDS薄膜磁控溅射退火处理
- CdS薄膜的可见和近红外光谱性能研究
- 2013年
- 在康宁7059玻璃衬底上采用磁控溅射、化学水浴和近空间升华法制备CdS薄膜,在FTO、ITO、AZO衬底上采用磁控溅射法制备CdS薄膜。分别对两组CdS薄膜的形貌、结构和光学性能进行了研究,结果表明:采用不同工艺和衬底条件制备的CdS薄膜具有不同的形貌和结构,并表现出不同的光学性能。对于不同的制备技术,化学水浴法制备的CdS薄膜在520～820nm范围的光谱平均透过率最高,光学带隙最大为2.418eV,磁控溅射法制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。对于不同的衬底条件,在FTO衬底上磁控溅射制备的CdS薄膜在820～1200nm和520～1200nm范围的光谱平均透过率最高。
- 张传军丛家铭邬云骅曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：CDS薄膜
- 偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用被引量：1
- 2014年
- 薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
- 黄志鹏赵守仁孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力胡志高杨平雄褚君浩
- 关键词：薄膜太阳能电池少子扩散长度
- 碲化镉薄膜太阳能电池电学特性参数分析被引量：3
- 2013年
- 用inline方式全部近空间升华方法制备n—CdS／p—CdTe取得了-11％的转换效率（AM1．5）．把其中n—CdS层采用磁控溅射方法取得了-10％的转换效率（AM1．5）．基于其电流密度一电压（J-V）曲线和外量子效率曲线，分析了其拟合关键参数对于电池性能的影响程度，并从理论分析上把目前器件性能参数与当今前沿性能参数以及其理论值进行比较，指出了如何提高电池转换效率（町）的方法：提高开路电压（Voc）、短路电流（Jsc）和填充因子（FF）．
- 赵守仁黄志鹏孙雷孙朋超张传军邬云华曹鸿王善力褚君浩
- 关键词：电学特性
- 不同方法及衬底类型对CdS多晶薄膜性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用化学水浴法和磁控溅射法分别在AZO、FTO、ITO透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜,利用扫描电镜、XRD以及透射光谱等测试手段,研究了两种制备方法对不同衬底生长CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响.研究结果表明,不同方法制备的CdS薄膜表面形貌均依赖于衬底的类型,水浴法制备的CdS薄膜晶粒度较大,表面相对粗糙.不同方法制备的CdS薄膜均为立方相和六角相的混相结构,溅射法制备的多晶薄膜衍射峰清晰、尖锐,结晶性较好.水浴法制备的CdS薄膜透过率整体低于溅射法,但在短波处优势明显.
- 丛家铭潘永强邬云华张传军王善力
- 关键词：CDS薄膜磁控溅射TCO
