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高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量：1: 2006年; 针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.; 任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管

金属线宽及线间距渐变的射频螺旋电感(英文)被引量：4: 2005年; 为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降低其串联电阻,品质因子Q值提高.实验结果确证了所提方法的正确性.对一个高阻硅衬底上6nH电感,优化设计的渐变结构电感Q值在2.46GHz处可达到14.25,比版图面积相同、固定线宽及间距的传统电感高11.3%.因此,在无线通信系统的射频前端,采用这种电感与射频集成电路结合,能获得更好的射频电路性能.; 王勇石艳玲刘斌贝丁艳芳唐深群朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：品质因子涡流效应

精确高效的渐变结构片上螺旋电感的电感值分析技术被引量：1: 2006年; 与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进的Wheeler公式计算误差又较大.针对这种情况,文中提出了一种以圈为单位分圈迭代求自感,用整体平均法计算互感的平面螺旋电感的电感值计算方法.该算法分析值与HFSS仿真值相比,误差小于3%,与样品测量值相比,误差小于4%.因此该算法具有计算速度快、精度高的特点,能用于渐变结构片上螺旋电感的高效设计,并可缩短设计周期.; 罗天星石艳玲丁艳芳唐深群刘贇王勇朱骏陈寿面赵宇航; 关键词：平面螺旋电感

Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1: 2007年; 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。; 徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱; 关键词：共平面波导

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