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天津市应用基础与前沿技术研究计划(08JCZDJC24100)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：王伟杨广华毛陆虹黄春红郭维廉更多>>
相关机构：天津大学天津工业大学更多>>
发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇硅发光
  • 1篇硅发光二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇发光分析
  • 1篇SI
  • 1篇LED器件
  • 1篇标准CMOS...

机构

  • 1篇天津工业大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇郭维廉
  • 1篇黄春红
  • 1篇毛陆虹
  • 1篇杨广华
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
2009年
描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率。在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了SiLED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向I-V特性和发光光谱。器件在室温下反向偏置,50mA电流下所得辐射亮度值为14.43nW,发光峰值在772nm处。
杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉
关键词：硅发光二极管
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