公共文化服务平台

ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响: 2013年; GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。; 李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉; 关键词：半导体激光器 GAAS表面 ZNSE

High-strain InGaAs/GaAs quantum well grown by MOCVD: 2014年; High-strain InGaAs/GaAs quantum wells(QWs) are grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD). Photoluminescence(PL) at room temperature is applied for evaluation of the optical property. The influence of growth temperature,V/III ratio,and growth rate on PL characteristic are investigated. It is found that the growth temperature and V/III ratio have strong effects on the peak wavelength and PL intensity. The full-width at half-maximum(FWHM) of PL peak increases with higher growth rate of InGaAs layer. The FWHM of the PL peak located at 1039 nm is 20.1 meV,which grows at 600 °C with V/III ratio of 42.7 and growth rate of 0.96 mm/h.; 谷雷李林乔忠良孔令沂苑汇帛刘洋戴银薄报学刘国军; 关键词：MOCVD生长 INGAAS 高应变 LP-MOCVD

Analysis of Facet Temperature Distribution of Semiconductor Lasers: In this paper catastrophic optical mirror damage(COMD) mechanism of the semiconductor laser is analyzed.COMD i...; Tiansheng ZHAOZaijin LITe LIPeng LUYi QUBaoxue BOGuojun LIUXiaohui MAYong WANG; 文献传递

1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性被引量：5: 2012年; 研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性。结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7 W降低到29.4 W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22%降低到37.55%,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K。实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～25℃范围内。; 李再金芦鹏李特曲轶薄报学刘国军马晓辉; 关键词：半导体激光器阈值电流温度特性

The Facet Passivation Characteristic of 940nm Semiconductor Laser: A novel facet coating technology is presented by studying catastrophic optical mirror damage mechanism of semi...; Zaijin LiXiaogang ZhengTe LiYi QuBaoxue BoGuojun LiuXiaohui MaMin Wang

The High Vacuum Cleaving Passivation Characteristic on 980nm Diode Laser: The high vacuum cleaving passivation characteristic on 980 nm diode laser is presented.In this research,diode ...; Tiansheng ZHAOZaijin LITe LIPeng LUYi QUBaoxue BOGuojun LIUXiaohui MAYong WANG; 文献传递

980 nm半导体激光器腔面温度特性分析被引量：8: 2013年; 研究分析了980nm半导体激光器的腔面温度特性。半导体激光器腔面光学灾变损伤(COD)是限制器件寿命和高功率输出的主要因素,通过分析腔面热源,建立腔面温度分布模型,分析了腔面温度场分布。设计了以金刚石为钝化膜的腔面增透膜和高反膜,模拟和对比了镀有金刚石钝化膜与未镀金刚石钝化膜的980nm半导体激光器腔面温度特性。分析结果表明,镀有金刚石钝化膜比未镀金刚石钝化膜的器件的腔面温度低9.0626℃。因此在980nm半导体激光器腔面镀金刚石钝化膜能够有效降低腔面温度,提高腔面COD阈值。; 郑晓刚李特芦鹏曲轶薄报学刘国军马晓辉李再金; 关键词：激光器半导体激光器金刚石

非对称异质波导半导体激光器结构被引量：3: 2015年; 提出了一种非对称异质波导半导体激光器外延结构,即通过优化选择材料体系和结构厚度,对器件外延层的P侧限制结构和N侧限制结构分别设计,从而降低器件的电压损耗,使其满足高输出功率以及高的电光转换效率的要求.从载流子的输运和限制等微观机制出发,对器件的主要输出特性进行了理论分析和数值模拟,并以此为根据设计和制作了一种1060 nm In Ga As/Ga As单量子阱非对称异质波导结构半导体激光器,并对器件的主要输出特性进行了测试.实验结果表明,非对称异质结构是降低器件的电压降、增大限制结构对注入载流子的限制,提高半导体激光器电光转换效率的有效措施.; 李特郝二娟张月; 关键词：电学特性

980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术被引量：8: 2012年; 研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响。将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比。结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11%,比不蒸镀钝化膜的半导体激光器输出激光功率提高了42%。不蒸镀钝化膜的半导体激光器的失效电流为4.1 A,蒸镀Si钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.1 A,蒸镀ZnSe钝化膜的半导体激光器的失效电流为5.6 A。对半导体激光器失效的原因进行了分析。在半导体激光器前后腔面蒸镀ZnSe钝化膜能有效地提高器件的输出光功率。; 李再金李特芦鹏曲轶薄报学刘国军王立军; 关键词：半导体激光器腔面钝化

半导体激光器电导数及其可靠性的研究被引量：2: 2015年; 为了探索和验证半导体激光器电导数参数与其可靠性的关系,将12个半导体激光器串联后进行高温加速电老化,直到器件不激射。监测在加速老化过程中半导体激光器电导数参量的变化情况。通过分析老化期间监测的数据,发现电导数曲线在阈值电流处的下沉高度随着老化时间的增加而变小;结特征参量与电导数曲线(在大于阈值电流的工作状态下)在电流I=0处的截距值随着老化过程逐渐变大。并且结特征参量的变化量在早期处于比较小的平稳状态,然后快速增加到一定值并保持一段时间,之后快速下降并最终稳定在比较小的值,这说明器件退化分为3个阶段:在早期退化较慢,之后退化很快并保持一定的退化速度,最后又到了慢速退化期。从实验结果得知电导数参量与器件的寿命和老化程度有密切关系,并且电导数参数可表征半导体激光器的退化状态。; 刘夏李特路国光郝明明; 关键词：激光器半导体激光器可靠性电导数

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

国家自然科学基金(61107054)