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国家自然科学基金(61071032)

作品数:10 被引量:45H指数:4
相关作者:许向东蒋亚东敖天宏黄龙马春前更多>>
相关机构:电子科技大学中国科学院四川师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇有限元
  • 3篇有限元分析
  • 3篇焦平面
  • 3篇光谱
  • 3篇红外
  • 3篇非制冷
  • 3篇非制冷红外
  • 2篇形变
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇溶胶
  • 2篇太赫兹
  • 2篇太赫兹光谱
  • 2篇红外焦平面
  • 2篇非制冷红外焦...
  • 1篇电池
  • 1篇电光
  • 1篇电光晶体
  • 1篇电特性
  • 1篇形貌
  • 1篇学成

机构

  • 9篇电子科技大学
  • 1篇四川师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 9篇许向东
  • 6篇蒋亚东
  • 4篇黄龙
  • 4篇敖天宏
  • 3篇樊泰君
  • 3篇马春前
  • 3篇杨卓
  • 3篇陈超
  • 3篇王志
  • 2篇何琼
  • 2篇孙自强
  • 2篇温粤江
  • 2篇马淼
  • 2篇闫微
  • 2篇刘禹彤
  • 2篇谷雨
  • 2篇周东
  • 1篇于军胜
  • 1篇赵明
  • 1篇雍朝良

传媒

  • 4篇物理学报
  • 3篇红外与激光工...
  • 1篇光学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非制冷红外焦平面微桥形变的主要原因及其控制被引量:1
2012年
微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分,经微细加工工艺制成的微桥结构常常发生弯曲变形,从而严重影响器件性能。利用有限元分析方法研究了造成微桥变形的原因。结果表明,重力导致的微桥形变值仅为1.44×10-5μm,而薄膜的本征应力导致的形变值却高达2.108μm,与实际观测值相当。因此,本征应力是造成微桥变形的主要原因。此外,还研究了本征应力梯度导致的形变,并提出了采用在电极的表面再沉积一层SiNx薄膜的方法,使桥腿的形变值由0.587μm明显地减小到0.271μm,有效地控制了本征应力梯度导致的桥腿变形。
樊泰君许向东王志敖天宏马淑敏黄龙杨卓蒋亚东陈超
关键词:形变有限元分析
有机电光晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐的太赫兹光谱研究
2017年
采用色散校正的密度泛函理论(dispersion-corrected density functional theory,DFT-D2)对有机电光晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(4-N,N-dimethylamino-4′-N′-methyl-stilbazolium tosylate,DAST)进行结构优化和太赫兹光谱计算,通过逐步提高精度进行几何优化的方法寻找DAST收敛的基态稳定结构,获得与DAST初始结构相一致的基态稳定结构.在此结构的基础上,在0—4 THz范围的太赫兹计算光谱与实验测量结果一致,说明采用DFT-D2进行优化的合理性.重要的是,首次通过计算的太赫兹光谱对DAST在0—4 THz范围的太赫兹吸收峰的振动模式进行了详细归属.结果表明:1.12 THz处的振动是DAST阴阳离子的光学声子模式,1.46 THz和1.54 THz两处的振动主要与磺酸盐有关,而2.63 THz和3.16 THz两处的振动则分别源于阳离子的扭转振动和阴离子的转动.该结果不仅很好地说明了阴阳离子分别在太赫兹响应中的贡献,而且为今后通过取代阴阳离子基团获取具有更高二阶非线性效应的DAST衍生物的新合成提供了重要的参考和指导.本文结果说明密度泛函理论在太赫兹光子学上的重要应用,对探究有机电光晶体的太赫兹响应物理原理、性能控制等具有重要的指导价值.
连宇翔戴泽林许向东谷雨李欣荣王福杨春成晓梦周华新
关键词:太赫兹光谱
基于P3HT的有机太阳能电池的特性研究被引量:3
2011年
聚3已基噻吩(P3HT)是近年来出现的一种新型有机聚合物太阳能电池的供电子体材料。通过真空蒸镀与旋涂相结合的方法,制备了基于聚合物P3HT的结构为ITO/Buffer layer/P3HT/C60/Bphen/Ag的有机太阳能电池。测试结果表明P3HT、C60的优化厚度分别为30、40nm。如果还引入金属氧化物MoO3作为阳极缓冲层,能够明显地提高电池的开路电压,其中MoO3阳极缓冲层的优化厚度为1nm。因此,通过优化制备工艺、引入新的器件材料,能更理想地调控太阳能电池的性能参数。
黄龙许向东周东于军胜蒋亚东
关键词:有机太阳能电池C60缓冲层MOO3
溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的结构及特性研究被引量:10
2013年
利用溶胶-凝胶法制备了氧化钒薄膜,在大气环境及400℃下、对产物进行不同时间的退火处理。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性等进行了系统的分析。结果表明,退火时间明显地影响溶胶-凝胶法制备氧化钒薄膜的化学结构及光电性能:退火时间过短,薄膜中有机成分不能完全分解、并且结晶度低;退火1h时,薄膜主要成分为V2O5和VO2,此时薄膜电阻低、但光吸收性弱;退火2h以上,薄膜中的主要成分为V2O5,此时薄膜电阻变大、但光吸收性有所加强。研究了退火时间对溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜的化学结构及光电特性的影响,揭示了相关的微观机理。
何琼许向东温粤江蒋亚东马春前敖天宏黄锐孙自强
关键词:氧化钒薄膜溶胶-凝胶退火
棕树叶的形貌、成分及光谱特性研究被引量:4
2015年
利用傅里叶红外光谱仪-衰减全反射技术对不同棕树叶的太赫兹光谱进行了测量,利用扫描电子显微镜及中红外光谱表征了样品的物理形貌与化学成分.给出了叶绿素及类胡萝卜素的太赫兹指纹谱峰,发现植物叶子的化学成分对光学响应的影响强于其物理形貌的影响.在棕树叶的主要化学成分中,叶绿素的太赫兹响应强于类胡萝卜素.提出了植物光学研究以及太赫兹有机敏感材料研究的新方法,获得了一些重要结果.研究结果不仅有助于人们更加深入地了解植物的一些生理行为,并可以从中得到启发,为设计性能更高、针对性更强、应用更广的器件功能材料创造条件,推动理论及应用研究的发展.
刘一客刘禹彤许向东闫微马淼朱宏钊马春前邹蕊矫丁廉罗梦佳
关键词:植物化学成分光谱特性
双层红外微测辐射热计的微桥结构仿真被引量:4
2012年
非制冷红外探测器具有广阔的军事和民用前景。近年来,出现了一类性能优越的新型双层微测辐射热计型红外探测器。利用有限元分析方法和光学导纳矩阵法详细研究了两种类型的双层微测辐射热计的主要性能。结果表明,双层微测辐射热计的综合性能优于单层微测辐射热计。其中,双层S型结构的温升最优,但其力学稳定性较差,难以满足实践需要;双层U型结构的温升虽低于双层S型结构的温升,但明显优于单层微桥;重要的是,双层U型结构在光吸收性能、力学稳定性、器件制造等方面均优于双层S型结构。所以,双层U型结构的综合性能更优。还设计了一种综合性能更优的改进型双层U型结构。
杨卓许向东敖天宏王志樊泰君黄龙蒋亚东陈超
关键词:非制冷红外探测器有限元分析
溶胶凝胶制备氧化钒薄膜的生长机理及光电特性被引量:8
2013年
采用溶胶凝胶法,在不同的退火温度下制备了不同的氧化钒薄膜.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、高阻仪、紫外-可见分光光度计和傅里叶红外光谱仪等,对薄膜的形貌、晶态、电学和光学特性进行了分析.结果表明,溶胶凝胶法获取V2O5薄膜的最佳退火温度为430℃,低于此温度不利于使有机溶剂充分分解,高于此温度则V—O键发生裂解、形成更多的低价态氧化钒.本文制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数和光吸收率,适合应用在非制冷红外探测器中.本文揭示了溶胶凝胶法制备氧化钒薄膜的生长机理.
何琼许向东温粤江蒋亚东敖天宏樊泰君黄龙马春前孙自强
关键词:氧化钒薄膜溶胶凝胶光电特性
全反式β-胡萝卜素太赫兹光谱的实验及理论研究被引量:4
2017年
采用傅里叶变换红外光谱技术和太赫兹时域光谱技术,在室温下对全反式β-胡萝卜素薄膜进行了光谱测试.据此,详细地指认出全反式β-胡萝卜素在太赫兹波段的指纹谱峰,并验证了近期报道的棕树叶的太赫兹光谱结果.运用密度泛函理论的B3LYP方法计算了全反式β-胡萝卜素的太赫兹光谱,理论计算结果与实验测量结果基本符合.此外,根据理论计算结果,对实测的太赫兹特征峰的振动模式进行了系统归属.本文研究结果有助于推动有机物的太赫兹光谱规律和太赫兹响应原理等理论与应用研究.
闫微马淼戴泽林谷雨朱宏钊刘禹彤许向东韩守胜彭勇
关键词:太赫兹光谱密度泛函理论
热应力对非制冷红外焦平面微桥的影响及控制研究被引量:5
2011年
非制冷红外焦平面阵列的微桥结构在微加工工艺中,由于温度的剧烈变化,在薄膜中产生热应力而引起微桥的变形,将对器件产生不利影响。利用有限元分析方法,对微桥在热应力作用下产生的变形进行了分析,提出了两种控制热应变的途径:1)选择一种低热膨胀系数、低杨氏模量的电极材料;2)在电极材料的表面沉积一层SiNx薄膜。仿真结果表明,两种途径使微桥的最大形变值从1.4740μm分别减小到0.4799μm和0.0704μm,达到了减小热应变的目的。
王志许向东周东杨卓蒋亚东陈超
关键词:非制冷红外焦平面阵列热应力有限元分析微桥结构形变
空间大规模CMOS面阵焦平面拼接技术被引量:8
2012年
为了提高空间遥感器的时间分辨率,采用更大规模的红外焦平面阵列和可见焦平面阵列是未来高时间分辨率空间遥感的发展趋势。目前,由于大规模阵列探测器受到CMOS工艺的限制,不能满足空间高时间分辨率发展的要求。为了满足大规模焦平面遥感应用的要求,提出了一种大规模阵列焦平面机械的拼接方法。该方法采用精密压电陶瓷电机,完成探测器焦平面的微米量级位置调整,并通过激光测距仪测量以及计算机平面拟合来确定探测器焦平面的空间位置,进而实现了大规模非连续CMOS焦平面阵列的机械式拼接。
雍朝良林剑春赵明陈凡胜
关键词:焦平面激光测距
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