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Phase Change Memory cell design by thermal analysis with Finite element Simulation: A comprehensive thermal analysis of the Phase change random memory(PCRAM) by 3D finite element modeling is pro...; Yue-Feng GongYun LingZhi-Tang SongSong-lin Feng

基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能: 2008年; 采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度。; 徐成刘波冯高明吴良才宋志棠封松林Bomy Chen; 关键词：相变存储器

Simulation of Voltage SET Operation in Phase-Change Random Access Memories with Heater Addition and Ring-Type Contactor for Low-Power Consumption by Finite Element Modeling被引量：1: 2010年; 为阶段变化随机存取记忆的一个三维的有限元素模型被建立模仿电，热并且分阶段执行州的分发在期间(集合) 操作。模型被使用模仿增加结构(HS ) 和在底部电极(肋骨) 的戒指类型接触组织的加热器的 SET 行为。模拟结果显示小底部电极电流接触器(BEC ) 与 80 nm 是的尺寸 Fx = 在 HS 房间，和底部电极电流接触器为热效率和可靠性是有益的为 RIB 房间的一种好选择。另外出现是适当集合脉搏时间是为低电源消费和快操作的 100 ns。[从作者抽象]; GONG Yue-Feng SONG Zhi-Tang LING Yun LIU Yan LI Yi-Jin; 关键词：随机存取存储器有限元建模

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响被引量：2: 2006年; 研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.; 夏吉林刘波宋志棠封松林; 关键词：电学性能相变

硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响被引量：3: 2006年; 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.; 刘波宋志棠封松林ChenBomy; 关键词：方块电阻

基于AGC方法的软判决LDPC译码器输入匹配电路: 2009年; 针对低密度奇偶校验码(LDPC)译码器性能受输入软信息电平抖动影响较大的问题,本文提出一种基于自动增益控制(AGC)方法的输入匹配电路,能够跟踪输入的信号电平变化动态调整信号幅度,使解调器与LDPC译码器始终工作在最佳匹配状态。此方法及AGC结构匹配电路模块已用于实现高速超宽带(MBOK-UWB)无线通信系统接收机的LDPC译码器,系统仿真和实际测试结果均表明,上述方法有效提高了系统的误比特性能。; 张建良张盛王硕邱见明周润德; 关键词：放大整形电路自动增益控制软判决低密度奇偶校验码

Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid: 2011年; We report on the investigation of the origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid.The oxide to nitride removal selectivity of the ceria slurry with picolinic acid is as high as 76.6 in the chemical mechanical polishing.By using zeta potential analyzer,particle size analyzer,horizon profilometer,thermogravimetric analysis and Fourier transform infrared spectroscopy,the pre-and the post-polished wafer surfaces as well as the pre-and the post-used ceria-based slurries are compared.Possible mechanism of high oxide to nitride selectivity with using ceria-based slurry with picolinic acid is discussed.; 王良咏刘波宋志棠刘卫丽封松林黄丕成S.V Babu; 关键词：电位分析仪

相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法: 2010年; 由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。; 李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲; 关键词：相变存储器 TCAD

Three-Dimensional Finite Element Simulations for the Thermal Characteristics of PCRAMs with Different Buffer Layer Materials: 2010年; 在阶段变化随机存取记忆(PCRAM ) 的热消费的模拟被一个三维的有限元素模型调查。热传导性和缓冲区层的电的电导率在在重设过程控制加热效率是关键的，这被揭示。缓冲区层材料 W，听， WO3， TiO2 和 poly 金者(poly-Ge ) 在模拟被使用分别地，并且与对方相比。模拟结果证明电的电导率的那限制在加热效率上是有效的，热电导率的限制在可靠重设过程上是重要的。[从作者抽象]; 龚岳峰宋志棠凌云刘燕李宜瑾封松林; 关键词：三维有限元模型热特性热量消耗随机存取 TI02

用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能: 2007年; 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.; 冯高明刘波吴良才宋志棠封松林陈宝明; 关键词：相变存储器电学性能

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