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国家重点基础研究发展计划(2006CB302706)

作品数：7 被引量：23H指数：2
相关作者：刘明龙世兵管伟华胡媛王永更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所安徽大学兰州大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇存储器
  • 3篇非挥发性存储...
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇英文
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇有源矩阵
  • 1篇有源矩阵OL...
  • 1篇容错
  • 1篇容错功能
  • 1篇隧穿
  • 1篇自动化
  • 1篇细丝
  • 1篇相变存储
  • 1篇相变存储器
  • 1篇金属
  • 1篇金属纳米

机构

  • 6篇中国科学院微...
  • 3篇安徽大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇普渡大学

作者

  • 6篇刘明
  • 5篇龙世兵
  • 3篇管伟华
  • 3篇胡媛
  • 2篇刘琦
  • 2篇李志刚
  • 2篇陈军宁
  • 2篇王永
  • 2篇王琴
  • 1篇张森
  • 1篇刘肃
  • 1篇左青云
  • 1篇张满红
  • 1篇刘璟
  • 1篇李颖弢
  • 1篇宋志棠
  • 1篇杨潇楠
  • 1篇封松林
  • 1篇代月花
  • 1篇王艳

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇微计算机信息

年份

  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
具有容错功能的OLED有源驱动电路(英文)
2007年
以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OLED驱动电路,以自动检测在OLED中发生的短路故障并切换至备用OLED.该电路采用p型低温多晶硅薄膜晶体管制造.当发生短路故障时,本电路可以在不改变驱动电流的情况下,保持OLED像素的亮度维持不变.实验结果表明,本电路不仅具有容错功能,而且与标准电路相比可以显著地降低功耗.
李大勇刘明Wei Wang
关键词：有机发光二极管有源矩阵OLED容错
纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性
2009年
介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程。研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性。并且金属纳米晶制备方法简单,通过电子束蒸发热退火的方法就能够得到质量较好的金属纳米晶,密度约4×1011cm-2,纳米晶尺寸约6～7nm。实验证明,高介电常数隧穿介质能够明显改善浮栅存储器的电荷保持特性,所以在引入金属纳米晶和高介电常数遂穿介质之后,纳米晶浮栅存储器可能成为下一代非挥发性存储器的候选者。
郭婷婷刘明管伟华胡媛李志刚龙世兵陈军宁
关键词：纳米晶金属纳米晶
纳米晶非挥发性存储器研究进展
2007年
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
管伟华刘明龙世兵李志刚刘琦胡媛贾锐
关键词：纳米晶非挥发性存储器
阻变式存储器存储机理被引量：13
2008年
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向.但阻变式存储器的电阴转变机理不明确,制约它的进一步研发与应用.文章对阻变式存储器的体材料中几种基本电荷输运机制进行了归纳,总结了目前对阻变式存储器存储机理的理论模型.
王永管伟华龙世兵刘明谢常青
关键词：非挥发性细丝
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
2009年
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。
李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃
关键词：非挥发性存储器I-V特性
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展被引量：2
2009年
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。
李德君刘明龙世兵王琴张满红刘璟杨仕谦王永杨潇楠陈军宁代月花
关键词：高K材料
相变存储器单元阵列的自动化演示系统
2007年
计算机通过GPIB卡和串口分别控制脉冲信号发生器和单片机实现对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)存储阵列芯片的数据存储、数据读取和简单的数据运算的直观演示。本文重点介绍了其硬件构成、软件实现。
梁爽宋志棠刘波封松林
关键词：GPIB
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