安徽省优秀青年科技基金(00047208)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：汪洪周圣明刘艳美李爱侠宋学平更多>>
- 相关机构：安徽大学中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：安徽省优秀青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 用PLD法在MgO(100)衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2006年
- 用脉冲激光沉积法在MgO(100)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为400℃、550℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明,在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c-轴择优取向,但是当衬底温度升高到700℃时,薄膜由单一的择优取向变为有两个较强的择优取向.通过光致发光谱可以发现,在550℃下生长的ZnO薄膜具有强的紫外发射和窄的FWHM,并且紫外发光峰的强度与ZnO薄膜的结晶质量密切相关.
- 苏凤莲汪洪李爱侠刘艳美周圣明
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积光致发光谱
- Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征被引量：2
- 2005年
- 采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响。X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向。不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右)。实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜。
- 汪洪周圣明宋学平刘艳美李爱侠
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射X射线衍射光致发光
- Al_2O_3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：5
- 2006年
- 用脉冲激光沉积法在A l2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜。衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃。利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究。X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高。ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移。
- 汪洪苏凤莲宋学平刘艳美李爱侠周圣明孙兆奇
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积X射线衍射光致发光谱
- 退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响被引量：1
- 2006年
- 采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响。X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射。在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰。空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射。实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质。
- 汪洪苏凤莲周圣明宋学平刘艳美李爱侠尹平孙兆奇
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射X射线衍射光致发光
