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江苏省自然科学基金(BG2007026)

作品数：1 被引量：3H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇辐照
  • 1篇辐照效应
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇扬州大学

作者

  • 1篇杨义军
  • 1篇曾祥华
  • 1篇金豫浙
  • 1篇胡益培

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应被引量：3
2010年
本文用4×104Ci(1Ci=3.7×1010Bq)的60Co源(剂量率2×105rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行5种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度、最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(I-V)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性变差,在20mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数τ0Kγ为4.039×10-7rad.s-1,发现较低的正向偏压下(小于2.6V)器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.
金豫浙胡益培曾祥华杨义军
关键词：GAN发光二极管Γ辐照辐照效应
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