北京有色金属研究总院创新基金(200952701)
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学机械工程一般工业技术电子电信更多>>
- YSi_2纳米颗粒的制备及光学、电学性能研究
- 2010年
- 采用脉冲激光烧蚀高纯YSi2靶,在n型Si（100）单晶衬底上制备YSi2纳米颗粒。原子力显微镜（AFM）观察样品表面颗粒尺寸约40-50 nm。X射线光电子能谱（XPS）测试结果表明,YSi2纳米颗粒成分为Y-O-Si。室温下对样品的光致发光（PL）性能进行测试,在500 nm处有一个较大的宽峰,409 nm附近出现强度较弱的发光峰。前者与样品中Y-O-Si电荷迁移带有关,后者为衬底表面纳米尺寸SiOx复合中心离子发光。室温下,对原位制备的薄膜电学（I-V/C-V）性能进行测试,结果表明薄膜的介电常数约为13.6。
- 黄立娟王磊杜军
- 关键词：脉冲激光烧蚀光致发光稀土
- PLA制备Tb-Si纳米颗粒及室温光致发光性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光烧蚀技术（PLA）在n型Si（100）单晶衬底上制备Tb-Si纳米颗粒。原子力显微镜（AFM）观察样品的表面形貌,发现样品表面是均匀分布的纳米颗粒,颗粒尺寸在10~20 nm之间,分布密度大约为6×1010/cm2。光电子能谱（XPS）及高分辨透射电镜（HRTEM）分析表明,纳米尺度的单晶硅化物颗粒的主要成分为Tb-Si及少量Tb-Si-O结构。室温下以荧光为激发光对样品的光致发光（photoluminescence）性能进行测试,结果表明样品在可见光区具有较强的发光现象,主要有4个发光峰,分别位于485,545,585和620 nm附近,这些发光峰主要由Tb3＋中电子在不同能级之间的跃迁造成。
- 黄立娟王磊杜军
- 关键词：TBSI光致发光脉冲激光烧蚀
- 脉冲激光烧蚀制备TaSi_2纳米颗粒被引量：1
- 2010年
- 利用脉冲激光烧蚀(PLA)技术烧蚀高纯TaSi2靶材,在高定向热解石墨(HOPG)基底上制备TaSi2纳米颗粒,用扫描电镜(SEM)分析纳米颗粒表面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析颗粒的化学组分和元素化学价态。SEM分析结果表明,PLA制备的TaSi2纳米颗粒平均尺寸为10 nm,面密度约1×1012cm-2;XPS分析表明HOPG基底上纳米颗粒表面的化学组分为Ta,Si,C,O元素,Ta和Si元素的存在方式主要是TaSi2,用积分面积灵敏度因子法计算Ta和Si原子比为1:2.2,接近TaSi2的化学计量比。进一步分析表明烧蚀过程中,部分Ta元素与C发生反应生成TaC,部分Si元素与C反应生成SiC;而O主要以化学吸附方式存在于样品表面。
- 黄立娟王磊吴正龙朱世伟杜军
- 关键词：激光技术脉冲激光烧蚀X射线光电子能谱
- AuSi_x(x=1/2,1/7)纳米颗粒的制备及光致发光性能研究被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300℃真空原位退火30min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)观察发现,退火前样品表面是一层平整的薄膜,而退火后样品表面形成均匀分布的岛状纳米颗粒,颗粒直径为10～20nm,面密度约1×1011cm-2。X射线光电子能谱(XPS)及TEM分析表明,退火后样品表面形成单晶结构的AuSix(x=1/2,1/7)纳米颗粒。室温下对退火后样品的光致发光(PL)特性进行测试,样品在580,628和700nm处出现三个发光峰,经过分析这些发光峰与样品表面的SiO2结构,AuSix纳米颗粒周围的悬挂键等缺陷以及样品表面SiO2纳米结构中的无桥联氧等因素有关。
- 黄立娟王磊杜军
- 关键词：光致发光磁控溅射
- 脉冲激光烧蚀制备窄发光带的分散Si纳米颗粒被引量：1
- 2010年
- 采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶,分别在液氮冷却至200K的高定向石墨(HOPG)和单晶Si(100)衬底上制备分散单晶Si纳米颗粒。采用拉曼谱(Raman)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析证实Si纳米晶粒的形成。结果表明:所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性,相应的光致发光峰位出现在585nm,峰值半高宽为70nm;与相同参数下常温衬底的结果相比,所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象;Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因。
- 王磊屠海令朱世伟陈兴杜军
- 关键词：脉冲激光烧蚀光致发光
