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浙江省重点科技计划(2005C11015)
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相关作者:
林惠旺
张兆华
刘理天
张艳红
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相关机构:
清华大学
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2008
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新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作
2008年
随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求,力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选。研究表明,在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化,具有类似压敏电阻的力敏效应。基于MOS晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器。该器件在与传统的压阻式力敏传感器相比,一方面继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,另一方面大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高。
张艳红
刘理天
张兆华
林惠旺
关键词:
MOS晶体管
灵敏度
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