中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(1006-56Y1064)
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 相关作者：李子全刘劲松余乐刘建宁何明霞更多>>
- 相关机构：南京航空航天大学无锡恒业电热电器有限公司更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项国家大学生创新性实验计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 铜片上水热法制备纳米Cu2S薄膜及光吸收性能
- 2012年
- 采用水热法以硫代乙酰胺为硫源在铜片上沉积了Cu2S纳米薄膜,研究了添加剂种类对产物结构、形貌及紫外–可见光吸收性能的影响。X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和红外光谱(IR)测试表明,产物为正交结构Cu2S,添加剂影响着产物的结晶及形貌。机理分析显示,在水热条件下添加剂以不同的方式参与了薄膜的形成过程。紫外–可见(UV-vis)光吸收性能测试及直接带隙计算表明,与Cu2S本体相比,所得薄膜带隙出现了不同程度的蓝移,这归因于样品的量子限制效应影响大于库仑项的影响。
- 张朔刘劲松李子全陈建康丛孟启许奇丁滔王春花高雪琴王莉萍
- 关键词：水热法
- Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。
- 余乐刘劲松李子全陈建康何明霞彭洁曹安刘建宁蒋维娜万龙
- 关键词：射频磁控溅射
- (Si/Ge)_n多层薄膜的设计制备及光吸收性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃衬底上沉积了具有不同层数和厚度的(Si/Ge)n多层薄膜。XRD、Raman光谱测试表明,溅射态薄膜为微晶结构,在溅射过程中层间扩散形成Si-Ge振动键,溅射时间和薄膜层数影响着薄膜层间的扩散和结晶率;FESEM结果表明,薄膜表面由颗粒团簇构成,层与层之间有明显界面。UV-vis光谱测试表明,(Si/Ge)n多层薄膜在可见光范围内具有较宽的吸收,增加薄膜层数可扩大太阳能光谱的响应范围,而增加Si单层膜厚度对光吸收范围的影响较小。
- 何明霞刘劲松李子全曹安刘建宁丛孟启蒋维娜彭洁余乐
- 关键词：射频磁控溅射层数厚度UV-VIS光谱
