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江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ13661)

作品数:2 被引量:5H指数:1
相关作者:袁寿财陈建萍张文王兴权袁新娣更多>>
相关机构:赣南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目江西省科技厅科技支撑计划项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇电荷补偿
  • 1篇掩膜
  • 1篇漂移区
  • 1篇频域法
  • 1篇自动控制
  • 1篇自动控制系统
  • 1篇相位
  • 1篇控制系统
  • 1篇化物
  • 1篇硅化物
  • 1篇IGBT
  • 1篇MATLAB
  • 1篇MATLAB...
  • 1篇槽栅
  • 1篇超前校正

机构

  • 2篇赣南师范大学

作者

  • 2篇袁寿财
  • 1篇袁新娣
  • 1篇王兴权
  • 1篇张文
  • 1篇乐江源
  • 1篇宋力
  • 1篇刘亚媚
  • 1篇陈建萍

传媒

  • 1篇赣南师范学院...
  • 1篇广东技术师范...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究
2015年
大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.
袁寿财乐江源宋力刘亚媚
关键词:电荷补偿硅化物掩膜漂移区
应用MATLAB实现自动控制系统的频域法校正被引量:5
2014年
利用MATLAB下的BODE图进行控制系统串联校正,可以进一步提高利用MATLAB平台下进行控制系统频域分析的能力,通过举例介绍在MATLAB平台上使用频域法进行系统串联校正的理论根据与操作方法 ,给出了用MATLAB进行串联超前校正设计的一般步骤,通过改变系统的开环波德图形状,使之具有满意的性能指标,对工程设计人员有一定的参考价值.
张文陈建萍袁新娣王兴权袁寿财
关键词:MATLAB频域法
共1页<1>
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