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金属间化合物Tb(Fe_(1-x)Ni_x)_(11.3)Nb_(0.7)的结构和磁性能研究被引量：1: 2005年; 利用X射线衍射、扫描电镜和差示扫描量热等方法对化合物Tb(Fe1-xN ix)11.3Nb0.7的结构和磁性能进行了研究.结果表明,金属间化合物Tb(Fe1-xN ix)11.3Nb0.7(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)的结构均为ThMn12型结构,并且随N i含量x的增大,Tb(Fe1-xN ix)11.3Nb0.7金属间化合物的晶格常数a,c和单胞体积V均呈减少趋势,居里温度TC呈单调上升趋势.当x>0.15时,Tb(Fe1-xN ix)11.3Nb0.7金属间化合物中的杂质相明显呈现出来.; 罗广圣李小怡辛勇; 关键词：居里温度磁性能

稀土空位锰氧化物(La_((1-x-y))Y_y)_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的磁热效应被引量：3: 2007年; 采用固相反应法制备La(1-x)2/3Ca1/3MnO3(x=0.0,0.04)和(La0.7Y0.3)2/3Ca1/3MnO3系列样品,测量不同温度下的磁化强度—磁场曲线,计算样品的磁熵变,研究La空位掺杂和Y3+离子掺杂对磁热效应的影响。结果表明,La空位掺杂(x=0.04)的样品在居里温度附近磁熵变最大值为6.22 J/(kg.K),这比La2/3Ca1/3MnO3磁熵变最大值(6.26 J/(kg.K))稍有降低;而Y3+离子掺杂的样品在温度60 K时和磁场强度2 T下,其磁熵变最大值为0.568 J/(kg.K),并且磁熵变随温度变化有继续增大的趋势。这表明(La0.7Y0.3)2/3Ca1/3MnO3可以作为一定温区的磁致冷材料。; 罗广圣李小怡周正有刘光华熊惟皓吴小山; 关键词：磁热效应磁熵变

磁热效应合金Gd5(Ge_(1-x)M_x)_4的结构: 2004年; 用磁控电弧炉在氩气气氛中熔炼了Gd5(Ge1-xMx)4(M=Mo、Al、Cr和Ga)系列合金。对样品的结构、显微组织和磁热性能进行了研究,研究发现随着M元素含量的增加,晶体结构会发生由5∶4型正交结构→5∶2∶2型单斜结构→5∶4型正交结构的转变,晶态组织出现非共晶→共晶→非共晶的转变,样品的磁热效应会随着M元素的含量增大而增大。; 罗广圣黄军平徐鹏吴小山; 关键词：X射线衍射磁热效应晶体结构

超磁致伸缩合金材料(Tb,Dy)Fe_2的热处理工艺研究被引量：3: 2007年; 采用区域定向凝固方法制备<110>取向的TbDyFe超磁致伸缩合金,用管式氩气保护进行了热处理方面的工作,全面研究热处理条件的变化对(Tb,Dy)Fe2超磁致伸缩合金的超磁致伸缩性能以及组织的影响。研究结果表明热处理使磁致伸缩性能可以得到较大提高,富稀土相的球化和晶粒吞并长大,减小了磁化过程中90°磁畴转动的阻力,这是高温热处理提高磁致伸缩性能的根本原因。运用多参数磁测量系统测试了材料的磁致伸缩系数λ、磁感应强度B、动态磁致伸缩系数d33、增量磁导率μ33和磁机电耦合系数k33,研究了磁特性随磁场H的变化规律。; 罗广圣周正有辛勇雷宇; 关键词：TBDYFE合金超磁致伸缩

空位掺杂(La_(0.7-x)Y_(0.3))_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的结构及其微观机制研究被引量：2: 2006年; 利用标准的固相反应法在1 200℃烧结了(La(0.7-x)Y0.3)2/3Ca1/3MnO3(x=0,0.02,0.04,0.08,0.10)样品,冷却后,取出部分在1 350℃进行再烧结.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面微观结构进行了研究.X射线衍射测量分析表明样品均为单相,单胞仍然具有正交对称性结构(空间群为Pnm a).通过扫描电镜研究表明,当化合物x=0.04时,(La(0.7-x)Y0.3)2/3Ca1/3MnO3的表面形貌表现为致密度最好.样品在1 350℃再烧结条件下,当x≤0.04时,可以大大降低样品的晶粒大小和孔隙;但当x>0.04时,再烧结对样品的晶体结构和表面微观结构影响不大.; 罗广圣辛勇胡凌燕雷宇韩颖赖翔; 关键词：晶体结构

金属间化合物Sm_3(Fe_(1-x)V_x)_(29)的结构及其微观机制研究被引量：1: 2006年; 利用X射线衍射,金相显微镜,能谱分析以及差示扫描量热(DSC)等手段对金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构及其微观机制进行了研究.结果表明,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29(x=0.01,0.03,0.05,0.08,0.1)的结构均为3:29型结构,并且随V含量增加,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29的晶格常数和晶胞体积V均呈减少趋势.当x>0.05时,金属间化合物Sm3(Fe1-xVx)29中的杂质相明显呈现出来.随着V含量的增加,居里温度(TC)呈单调上升趋势.; 辛勇罗广圣雷宇陈光; 关键词：金属间化合物晶体结构居里温度

Gd_5(Ge_(2-x)Si_(2-x)M_(2x))化合物的晶体结构和磁性研究: 2004年; 研究了用稳定元素Mn、Mo、Al和V代替非磁性的Si和Ge对Gd5Ge2Si2化合物的居里温度的影响;并且研究了Gd5(Ge2-xSi2-xM2x)(M=Mn、Mo、Al和V)样品退火处理对居里温度的影响.结果表明少量的合金化元素替代会提高Gd5Ge2Si2化合物的居里温度;退火后居里温度随替代元素的含量变化比退火前更敏感.X射线粉末衍射分析表明少量的合金化元素(Mn、Mo、Al和V)替代不会影响母体Gd5Ge2Si2化合物的晶体结构.对样品的晶态显微组织和表面微结构研究发现退火后组织分布比退火前更均匀.; 罗广圣黄军平赵斌谢素菁; 关键词：晶体结构磁性居里温度磁致冷材料

Gd含量对Gd_5Si_2Ge_2晶体结构和磁性能的影响: 2004年; 用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品。用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构。用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应。对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多。对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加。; 罗广圣黄军平徐鹏唐少龙蔡宏灵徐金吴小山; 关键词：磁熵变 RIETVELD方法晶体结构磁卡效应

金属间化合物Dy_2Co_(17-x)Ga_x的结构及其磁性能机制研究被引量：1: 2006年; 利用X射线衍射、扫描电镜(SEM)和差示扫描量热(DSC)等方法对化合物Dy2Co17-xGax(x=0,1.0,2.0,3.0,4.0,5.0)的结构和磁性能进行了研究.结果表明,随着Ga替代Co的量的增加,化合物Dy2Co17-xGax由Th2N i17型向Th2Zn17型转变,并最终成为Th2Zn17型结构,且晶格常数(a,c)和晶胞体积(V)及居里温度Tc逐渐增大,同时看到x=5.0时,附相在化合物中已明显呈现了出来.; 李小怡罗广圣雷宇辛勇; 关键词：居里温度磁性能

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江西省自然科学基金(0150014)