国家自然科学基金(61204080)
- 作品数：13 被引量：22H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 微纳米PIN电光调制器的优化被引量：4
- 2014年
- 在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所用的时间,从而有效提高电光调制器的调制速度;详细分析了PIN电光调制器结构中内脊高度H、外脊高度h,波导脊宽W以及重掺杂区到波导的距离Ws等参数对其调制特性的影响;最终根据数据的分析,给出了优化后的参数,制作了电光调制器并进行了测试,测试结果验证了文中数据分析的正确性。
- 冯松高勇
- 关键词：光电器件电光调制器PIN结构载流子浓度
- 一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析被引量：4
- 2016年
- PIN结构是电光调制器中常见的一种电学调制结构,该结构中载流子注入效率直接影响着电光调制器的性能.在前期的研究中,我们在SOI材料的基础上提出了一种新型Si/Si Ge/Si双异质结PIN电学调制结构,可以有效提高载流子注入效率,降低调制功耗.为了进一步研究这种新型调制器结构的调制机理,本文从单异质结能带理论出发,定量分析了该新型结构中双异质结的势垒高度变化,给出了双异质结势垒高度的定量公式;将新型结构与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行能带对比,分析了该新型结构载流子注入增强的原因;最后模拟了新型结构的能带分布,以及能带和调制电压与注入载流子密度的关系.与SiGe-OI和SOI两种PIN电学调制结构进行对比发现,1 V调制电压下,新型结构的载流子密度达到了8×10^(18)cm^(-3),比SOI结构的载流子密度高了800%,比SiGe-OI结构的载流子密度高了340%,进一步说明了该新型结构的优越性,并且验证了理论分析的正确性.
- 冯松薛斌李连碧翟学军宋立勋朱长军
- 关键词：光电子器件电光调制器锗硅
- 基于目标分析技术的人力资源智能管理系统设计被引量：8
- 2020年
- 针对传统的人力资源智能管理系统压力负载能力较差的问题,设计基于目标分析技术的人力资源智能管理系统。利用工业液晶屏和驱动模块设计人机交互界面,通过人机交互界面实现用户与系统的交流,计算人力资源管理系统中各模块的特征权重,根据特征权重的不同调整管理系统的功能和标准,最后利用程序编码实现人力资源智能管理。测试结果表明,在设置相同的并发线程总数情况下,基于目标分析技术的人力资源智能管理系统能够承受过多的并发访问,压力负载能力强,适合使用在实际项目中。
- 王丹莉
- 关键词：人力资源管理智能管理人机交互
- SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析被引量：3
- 2016年
- SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型,主要对其结构参数、耦合系数、3dB带宽和消光比等参数进行了分析,仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系,以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性,为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。
- 冯松高勇
- 关键词：微环谐振器滤波特性
- 硅基光子调制器研究进展被引量：4
- 2022年
- 光子调制器是光纤通信系统的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的千兆赫兹带宽调制器的实现,也为硅光子学的发展奠定了基础。目前,硅基光子调制器的调制速度已经超过了50 GHz,基本满足了调制格式的带宽需求。但低驱动电压和低插入损耗的硅基光子调制器仍然是一个值得研究的领域,越来越多的研究机构加入硅基光子调制器的研究,使其取得了长足的进展。该文主要对国内外硅基光子调制器的研究进展进行分析,讨论了基于SOI材料、SiGe材料、Ge材料、铁电材料、有机光电材料、III-V族材料和石墨烯材料等硅基光子调制器的研究现状,并对相关调制器的性能进行了对比和分析,为未来继续研发高速率、低损耗的光子调制器提供了思路。
- 胡祥建冯松冯露露王迪刘勇陈梦林丁斌斌韩超韩小祥
- 关键词：光子器件调制器硅基
- SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
- 2022年
- 针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和衰减等影响。研究结果表明:该器件有效增大了折射率变化和吸收系数变化,增强了电光调制器的等离子体色散效应,提高了硅基调制器的调制效率。SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的20dB衰减所需的驱动电压从1.24V降到0.99V,其调制效率约为硅基调制器的1.25倍,SiGe/Si异质结可以有效增强等离子体色散效应,提高电光调制器的调制效率,改善电光调制器的性能。
- 冯露露冯松胡祥建王迪陈梦林
- 关键词：电光调制器SIGE/SI异质结
- 微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计被引量：1
- 2015年
- 在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法相结合的方法,对SiGe-SOI弯曲光波导进行了弯曲损耗分析,得到了弯曲半径对弯曲损耗的影响,给出了影响微纳米SiGe-SOI弯曲光波导设计的敏感参数。最后根据理论分析的结果,绘制了不同宽度的光波导版图,制作了微纳米SiGe-SOI弯曲光波导,并对其进行了测试分析,最终实验结果与理论分析一致,从而验证了该设计方法和理论分析的正确性。
- 冯松高勇薛斌
- 关键词：光子器件弯曲损耗
- 硅基垂直光栅耦合器的研究进展
- 2023年
- 对国内外硅基垂直光栅耦合器的研究进展进行了总结,讨论了均匀光栅耦合器和非均匀光栅耦合器的研究现状,并对相关耦合器的性能参数做了对比和分析,为未来继续研发更高耦合效率、更大耦合带宽的垂直光栅耦合器提供思路与参考。
- 刘勇冯松王迪陈梦林胡祥建冯露露
- 关键词：光子器件硅基光栅耦合器
- SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
- 2013年
- 基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考。
- 冯松高勇
- 关键词：定向耦合器
