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国家自然科学基金(61204080)

作品数:13 被引量:17H指数:3
相关作者:冯松高勇薛斌宋立勋李连碧更多>>
相关机构:西安工程大学西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇调制器
  • 4篇电光
  • 4篇电光调制
  • 4篇电光调制器
  • 4篇光调制
  • 4篇光调制器
  • 4篇SIGE
  • 3篇纳米
  • 3篇光电
  • 3篇光子
  • 3篇光子器件
  • 3篇硅基
  • 2篇电子器件
  • 2篇调制
  • 2篇调制结构
  • 2篇异质结
  • 2篇锗硅
  • 2篇耦合器
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件

机构

  • 11篇西安工程大学
  • 5篇西安理工大学

作者

  • 10篇冯松
  • 5篇高勇
  • 3篇薛斌
  • 2篇李连碧
  • 2篇朱长军
  • 2篇宋立勋
  • 2篇翟学军
  • 1篇王丹莉

传媒

  • 2篇西安理工大学...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇沈阳大学学报...
  • 1篇西安工业大学...
  • 1篇集成技术

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
波状PIN电光调制结构被引量:2
2016年
PIN是电光调制器中常见的一种调制结构,该结构工作时产生的热光效应直接影响着电光调制器的性能。为了缓解这种热光效应对调制器的影响,从PIN调制原理出发,在绝缘体上硅薄膜(SOI)材料的基础上提出了一种波状PIN调制结构,并将该结构与普通PIN调制结构进行对比,定量分析了波状PIN结构对温度、折射率以及调制区载流子浓度的影响,通过仿真得出2V调制电压下,波状PIN结构的温度降低了11.6%,抑制热光效应使得折射率漂移减小了28%,调制区注入载流子浓度提高了26.7%。通过实验,分别制作了波状PIN结构和普通PIN结构的微环电光调制器,经过测试发现波状PIN结构具有更大的谐振峰蓝移值,该结构有效抑制了热光效应的影响,证明了该新型结构的优越性及理论分析的正确性。
冯松薛斌李连碧宋立勋翟学军朱长军
关键词:物理光学光电子器件电光调制器热光效应
IGBT阻断能力的优化设计
2013年
阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。
冯松高勇
关键词:绝缘栅双极型晶体管场限环
Analysis of coupling between nanotaper SiGe-SOI waveguide and fiber
2014年
Based on a submicrometer-sized SiGe-SOI waveguide, the coupling loss mechanism is analyzed between the submicrometer-sized SiGe-SOI waveguide and the fiber. The main sources of coupling loss are analyzed,and the mismatch loss of the mode field is the mainly lost during connection between the submicrometer-sized waveguide and the fiber. In order to reduce the mismatch loss of the mode field, the structure of a nanotaper SiGeSOI waveguide with a nanometer-sized tip is adopted. By reducing the waveguide dimensions to increase the mode field size, coupling loss could be reduced between the waveguide and the fiber. Different mode field dimensions of nanotaper SiGe-SOI waveguides and fiber are quantitatively analyzed, and the quantitative relationship between nanotaper SiGe-SOI waveguide dimensions and mode field dimensions are obtained. Finally, nanotaper SiGe-SOI waveguides are made, and the test and analysis have been done. The final experimental results accord well with the theoretical analysis. When the waveguide width is 0.5 m, the minimum coupling loss of the SiGe-SOI waveguide is 0.56 dB/facet, and also the correctness of the design method and theoretical analysis are verified.
冯松高勇
关键词:纳米尺寸亚微米
微纳米PIN电光调制器的优化被引量:4
2014年
在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所用的时间,从而有效提高电光调制器的调制速度;详细分析了PIN电光调制器结构中内脊高度H、外脊高度h,波导脊宽W以及重掺杂区到波导的距离Ws等参数对其调制特性的影响;最终根据数据的分析,给出了优化后的参数,制作了电光调制器并进行了测试,测试结果验证了文中数据分析的正确性。
冯松高勇
关键词:光电器件电光调制器PIN结构载流子浓度
基于目标分析技术的人力资源智能管理系统设计被引量:7
2020年
针对传统的人力资源智能管理系统压力负载能力较差的问题,设计基于目标分析技术的人力资源智能管理系统。利用工业液晶屏和驱动模块设计人机交互界面,通过人机交互界面实现用户与系统的交流,计算人力资源管理系统中各模块的特征权重,根据特征权重的不同调整管理系统的功能和标准,最后利用程序编码实现人力资源智能管理。测试结果表明,在设置相同的并发线程总数情况下,基于目标分析技术的人力资源智能管理系统能够承受过多的并发访问,压力负载能力强,适合使用在实际项目中。
王丹莉
关键词:人力资源管理智能管理人机交互
SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析被引量:3
2016年
SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型,主要对其结构参数、耦合系数、3dB带宽和消光比等参数进行了分析,仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系,以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性,为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。
冯松高勇
关键词:微环谐振器滤波特性
硅基光子调制器研究进展被引量:1
2022年
光子调制器是光纤通信系统的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的千兆赫兹带宽调制器的实现,也为硅光子学的发展奠定了基础。目前,硅基光子调制器的调制速度已经超过了50 GHz,基本满足了调制格式的带宽需求。但低驱动电压和低插入损耗的硅基光子调制器仍然是一个值得研究的领域,越来越多的研究机构加入硅基光子调制器的研究,使其取得了长足的进展。该文主要对国内外硅基光子调制器的研究进展进行分析,讨论了基于SOI材料、SiGe材料、Ge材料、铁电材料、有机光电材料、III-V族材料和石墨烯材料等硅基光子调制器的研究现状,并对相关调制器的性能进行了对比和分析,为未来继续研发高速率、低损耗的光子调制器提供了思路。
胡祥建冯松冯露露王迪刘勇陈梦林丁斌斌韩超韩小祥
关键词:光子器件调制器硅基
SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的数值分析
2022年
针对电光调制器的调制效率低造成调制器的驱动电压较高的问题。文中基于等离子色散效应理论,利用计算机辅助设计模拟方法,设计了一种SiGe/Si异质结PIN顶注入硅基电光调制器,分析了不同结构尺寸、掺杂浓度下折射率变化、吸收系数变化和衰减等影响。研究结果表明:该器件有效增大了折射率变化和吸收系数变化,增强了电光调制器的等离子体色散效应,提高了硅基调制器的调制效率。SiGe/Si异质结PIN顶注入电光调制器的20dB衰减所需的驱动电压从1.24V降到0.99V,其调制效率约为硅基调制器的1.25倍,SiGe/Si异质结可以有效增强等离子体色散效应,提高电光调制器的调制效率,改善电光调制器的性能。
冯露露冯松胡祥建王迪陈梦林
关键词:电光调制器SIGE/SI异质结
微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计
2015年
在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法相结合的方法,对SiGe-SOI弯曲光波导进行了弯曲损耗分析,得到了弯曲半径对弯曲损耗的影响,给出了影响微纳米SiGe-SOI弯曲光波导设计的敏感参数。最后根据理论分析的结果,绘制了不同宽度的光波导版图,制作了微纳米SiGe-SOI弯曲光波导,并对其进行了测试分析,最终实验结果与理论分析一致,从而验证了该设计方法和理论分析的正确性。
冯松高勇薛斌
关键词:光子器件弯曲损耗
硅基垂直光栅耦合器的研究进展
2023年
对国内外硅基垂直光栅耦合器的研究进展进行了总结,讨论了均匀光栅耦合器和非均匀光栅耦合器的研究现状,并对相关耦合器的性能参数做了对比和分析,为未来继续研发更高耦合效率、更大耦合带宽的垂直光栅耦合器提供思路与参考。
刘勇冯松王迪陈梦林胡祥建冯露露
关键词:光子器件硅基光栅耦合器
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