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北京市教委资助项目(KZ200510005003)

作品数:2 被引量:14H指数:2
相关作者:沈光地郭霞王东凤李冰刘莹更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目北京市科委重大项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 1篇石基
  • 1篇抛光
  • 1篇外延片
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇激光
  • 1篇激光剥离
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇SEM分析
  • 1篇XPS分析
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇LED外延片
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇郭霞
  • 2篇沈光地
  • 1篇方圆
  • 1篇李秉臣
  • 1篇刘莹
  • 1篇李冰
  • 1篇刘斌
  • 1篇陈涛
  • 1篇王东凤
  • 1篇王婷
  • 1篇井亮

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底被引量:4
2007年
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用。同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性。激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法。
方圆郭霞王婷刘斌沈光地井亮陈涛
关键词:GAN激光剥离SEM分析XPS分析
蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究被引量:10
2005年
研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。
李冰郭霞刘莹李秉臣王东凤沈光地
关键词:蓝宝石发光二极管抛光
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