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江西省新余市自然科学基金(2008zrbxjj03)
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
相关作者:
柳碧清
付淑英
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付淑英
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柳碧清
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2009
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直流反应磁控溅射法制备氮化钛薄膜
被引量:1
2009年
研究了采用直流反应磁控溅射法制备TiN薄膜的工艺条件。研究发现:在保持其它工艺参数不变的条件下,溅射的TiN薄膜在不同温度区域存在的物相不同,薄膜的主要成分是多晶立方相TiN,240℃附近是薄膜择优取向由(111)向(200)转变的临界点。随着基底温度升高,薄膜表面粗糙度先变小后变大,沉积最佳基底温度值是330℃,该温度下薄膜的粗糙度最小,膜层致密均匀,没有大尺寸缺陷且光洁度好。
付淑英
柳碧清
胡祥青
关键词:
氮化钛薄膜
磁控溅射
基底温度
反射率
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