国家自然科学基金(61204134)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 相关作者：李向阳张燕马丁刘福浩许金通更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InGaN紫外探测器的制备与性能研究被引量：5
- 2014年
- 介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360～390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D＊=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。
- 卢怡丹王立伟张燕李向阳
- 关键词：P-I-N紫外探测器伏安特性响应光谱
- 像素级数字化紫外焦平面读出电路的研究被引量：2
- 2014年
- 为提高紫外焦平面组件成像质量,提出了可用于紫外焦平面的像素级数字化读出电路结构。针对紫外信号微弱及焦平面探测器像素面积小的特点,设计了基于电容反馈跨阻放大器(Capacitive Trans-Impedance Amplifier,CTIA)结构、模数转换器和锁存器的紫外焦平面像素级模数转换读出电路,并给出了实现像素内模数转换的工作原理。详细讨论了像素内模数转换的实现方法,各模块的设计要求及其具体实现,并基于0.35μm DP4M CMOS工艺设计制造了面阵规模128×128、像素单元面积50μm×50μm的读出电路芯片。电路性能测试与成像实验表明:电路的精度达到1mV以下,有效位数达到11位,实现了紫外焦平面读出电路的低噪声数字化输出。
- 徐斌袁永刚李向阳
- 关键词：紫外成像
- 利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性
- 2015年
- 使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/nGaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2,SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN界面态密度低,薄膜绝缘性能良好.
- 刘秀娟张燕李向阳
- 关键词：SIOX薄膜应力界面态密度
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料，AIGaN基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器，其光谱响应范围为345～363．5nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能，使用单色仪对该器件进行了光谱扫描，扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示，该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能，在300～1160nm光谱范围内，光谱带外响应比率仅为1．14％。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面(英文)
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料,Al Ga N基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器,其光谱响应范围为345~363.5 nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能,使用单色仪对该器件进行了光谱扫描,扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示,该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能,在300~1 160 nm光谱范围内,光谱带外响应比率仅为1.14%。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
