您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(50972054)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：张婷汤振杰殷江更多>>
相关机构：安阳师范学院河南大学南京大学更多>>
发文基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇高介电常数
  • 1篇存储器
  • 1篇存储器件
  • 1篇HFALO

机构

  • 1篇安阳师范学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇河南大学

作者

  • 1篇殷江
  • 1篇汤振杰
  • 1篇张婷

传媒

  • 1篇河南大学学报...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
高介电常数HfAlO氧化物薄膜基电荷俘获型存储器件性能研究被引量：2
2013年
利用原子层沉积方法制备了高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件,并对器件的电荷存储性能做了系统研究.利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜的形貌、尺寸及器件结构.采用4200半导体分析仪测试了存储器件的电学性能.研究发现,存储器件在栅极电压为±8V时的存储窗口达到3.5V;25℃,85℃和150℃测试温度下,通过外推法得到,经过10年的数据保持时间,存储器件的存储窗口减小量分别为17%,32%和48%;(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜基电荷俘获型存储器件经过105次写入/擦除操作后的电荷损失量仅为4.5%.实验结果表明,利用高介电常数材料(HfO2)0.8(Al2O3)0.2薄膜作为存储层能够提高器件的电荷俘获性能,具有良好的应用前景.
汤振杰张婷殷江
关键词：高介电常数原子层沉积
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0