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国家自然科学基金(50075055)

作品数:5 被引量:12H指数:2
相关作者:杨春生丁桂甫黄龙旺张丛春吴晓梅更多>>
相关机构:上海交通大学更多>>
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相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇刻蚀
  • 4篇反应离子
  • 4篇反应离子刻蚀
  • 3篇深刻蚀
  • 3篇微结构
  • 3篇PMMA
  • 2篇反应离子深刻...
  • 1篇循环伏安
  • 1篇有机玻璃
  • 1篇正极
  • 1篇正极材料
  • 1篇微机电系统
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇机电系统
  • 1篇尖晶石
  • 1篇各向异性
  • 1篇各向异性刻蚀
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇RIE

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇杨春生
  • 4篇丁桂甫
  • 3篇黄龙旺
  • 2篇张丛春
  • 1篇倪智萍
  • 1篇吴益华
  • 1篇奚峻
  • 1篇吴晓梅
  • 1篇毛海平

传媒

  • 1篇复旦学报(自...
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇压电与声光
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
有机玻璃的反应离子深刻蚀被引量:1
2004年
以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法.
张丛春杨春生丁桂甫毛海平倪智萍
关键词:反应离子刻蚀有机玻璃微结构微机电系统
PMMA的反应离子深刻蚀被引量:2
2004年
对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。
张丛春杨春生丁桂甫黄龙旺
关键词:PMMA反应离子刻蚀
微米级锂离子电池正极材料尖晶石LiMn_2O_4的合成及性能被引量:6
2004年
对微米级和常规固相反应方法制备的锂离子电池正极材料尖晶石LiMn2O4的结构和性能进行了比较,并采用扫描电子显微镜(SEM),X 射线衍射(XRD)及慢扫描循环伏安(SSCV)、交流阻抗(EIS)的电化学测试方法对材料进行了表征.结果表明微米级的尖晶石LiMn2O4,颗粒均匀,晶体结晶性好;在10次慢扫描循环伏安曲线中,容量衰减相对较小;从材料的交流阻抗谱中可看出,随着循环的进行,靠近循环伏安峰电位附近的电荷转移电阻变化小.
吴晓梅杨春生奚峻吴益华
关键词:正极材料尖晶石LIMN2O4循环伏安
商品有机玻璃片微结构的深刻蚀研究被引量:1
2003年
研究应用O2反应离子刻蚀(RIE)直接深刻蚀商用有机玻璃(PMMA)片,以实现微结构的三维微加工,工艺简单,加工成本较低,为微器件的高深宽比加工提出了新方法。试样采用Ni作掩膜,以普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀法将Ni掩膜图形化。工作气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀速率影响较大。在刻蚀过程中,掩膜上的金属粒子会被刻蚀气体离子轰击而溅射散落出来,形成微掩膜效应。利用这种RIE技术,在适当的溅射功率及气压下,刻蚀速率较快,且获得了较陡直的微结构图形,刻蚀深度达120μm。
黄龙旺杨春生丁桂甫
关键词:反应离子刻蚀微结构PMMA刻蚀速率
反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究被引量:2
2002年
研究目的是优化Ni掩模PMMARIE的刻蚀参数 ,在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3 ,以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀 ,研究了刻蚀气压、CHF3 /O2 比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀速率和PMMA微结构形貌的影响。试验表明 :当CHF3 含量大于 50 %或O2 工作气压较低时 ,会显著影响RV/RL 比 ,当RV/RL 比大于 8时 ,试样呈现出完全各向异性刻蚀。
黄龙旺杨春生丁桂甫
关键词:反应离子刻蚀PMMA各向异性RIE干法刻蚀
共1页<1>
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