国家高技术研究发展计划(2003AA513010)
- 作品数：49 被引量：139H指数：8
- 相关作者：冯良桓郑家贵黎兵李卫张静全更多>>
- 相关机构：四川大学兰州大学中国核工业集团公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- CdTe太阳电池组件的关键技术研究被引量：1
- 2007年
- 采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜,用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜.为了获得优质的背接触,对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层,然后沉积背接触层.结果表明:具有ZnTe/ZnTe:Cu复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池.最后,采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合,制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件,其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03%(开路电压Voc=718.1mV,短路电流Isc=98.49mA,填充因子53.68%,面积54cm2)(由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).
- 李卫冯良桓张静全武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟黎兵雷智
- 关键词：CDTE太阳电池组件
- 反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜
- 在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择...
- 郝瑞英雷智郑家贵冯良桓蔡伟武莉莉张静全
- 关键词：H2O2SNO2
- 文献传递
- ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究被引量：4
- 2007年
- 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
- 钟永强郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
- 关键词：光电子能谱退火
- ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究被引量：3
- 2009年
- 为了提高CdTe太阳电池的效率，ZnS／CdS单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制备了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜，用SEM观察样品截面，分层清晰；测试了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图，在300～800nm波长范围内存在4个明显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜，ZnS／CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显，说明ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提高CdTe太阳电池的效率。
- 黄杨黎兵王洪浩颜璞李愿杰刘才孟奕峰冯良桓
- 关键词：磁控溅射
- 反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜被引量：1
- 2004年
- 在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择优取向;电阻率有明显提高,为12～13 Ω·cm;透光率与一般的透明导电膜并没有很大差别.
- 郝瑞英雷智郑家贵冯良桓蔡伟武莉莉张静全
- 关键词：H2O2SNO2
- 硝磷酸腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响被引量：1
- 2007年
- 采用硝磷酸(NP)背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响．结果表明:NP腐蚀后在CdTe薄膜上产生了富碲层;退火后,碲容易与背接触材料中的铜反应生成CuxTe．通过严格控制和优化腐蚀工艺,选择ZnTe／ZnTe:Cu作为背接触层材料,可制备出优异性能的CdTe太阳电池．
- 李卫冯良桓郝瑞英陈茜
- 关键词：材料合成与加工工艺背接触太阳电池
- 复合背接触层与背电极的匹配对CdTe太阳电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 本文研究Ni和Au两种背电极在有、无ZnTe/ZnTe:Cu背接触层时对碲化镉太阳电池性能的影响及其机理。试验结果表明,在没有ZnTe/ZnTe:Cu复合背接触层时,Ni和Au相比,输入特性的填充因子(FF)较差,短路电流密度(Jsc)较大,转换效率(η)较低;在有ZnTe复合背接触层时,Ni和Au相比,FF相差较小,而η因Jsc较大而较高。通过暗特性的测试,可以看到,在有了ZnTe复合背接触层以后,Ni作背电极的碲化镉太阳电池,其二极管因子(A)、暗饱和电流(J0)和旁路电阻(Rsh)等三个参数降低的幅度都比Au作背电极的大。这和ZnTe复合背接触层使Ni背电极碲化镉太阳电池效率有更大提高是吻合的。分析表明,这主要是由于光生电流的增大导致了Jsc的增大。这样用Ni代替Au作背电极会带来降低成本和效率提高的双重改进。
- 鄢强冯良桓宋慧瑾郑家贵武莉莉张静全黎兵李卫雷智
- 关键词：复合背接触层金属背电极短路电流密度CDTE太阳电池
- Cu_xTe薄膜的结构及其对CdTe太阳电池性能的影响
- 2008年
- 用真空共蒸发法制备了 Cu_xTe 薄膜并将其运用于 CdTe 太阳电池中。对薄膜进行了 X 射线衍射(XRD)分析,比较了有、无 Cu_xTe 插层的 CdTe 太阳电池的暗态 I-V 特性和 C-V 特性。结果表明,刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分 Cu/Te 配比较低的薄膜出现多晶结构。Cu_xTe 插层的引入有利于消除 roll over (暗态 I-V 曲线饱和)现象,使电池的二极管理想因子和暗饱和电流密度降低,CdTe 掺杂浓度增加,有效地改善了CdTe 太阳电池的性能。用 Cu_xTe 薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的 CdS/CdTe小面积(0.0707cm^2)太阳电池。
- 吴晓丽夏庚培郑家贵李卫冯良桓武莉莉黎兵张静全雷智宋慧瑾
- 关键词：背接触CDTE太阳电池
- 用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜被引量：8
- 2006年
- 采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用X射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.
- 姚菲菲雷智冯良桓张静全李卫武莉莉蔡伟蔡亚平郑家贵黎兵
- 关键词：ALSB退火多晶薄膜
- CdTe太阳电池的不同背电极和背接触层的特性研究被引量：9
- 2007年
- 用Ni替代Au来作为CdTe太阳电池的背电极,比较了Ni,Ni/Au,Au/Ni及Au背电极对电池性能的影响.发现Ni作为背电极和ZnTe/ZnTe:Cu复合层接触,电池的开路电压Voc略有降低,填充因子FF有增有减,变化幅度不大,但因短路电流Isc有较大的提高,转换效率η平均增长4%.测试了不同背电极的CdTe太阳电池的暗I-V和C-V特性,对背电极剥离后的样品进行了XPS测试分析.结果表明,Ni扩散到ZnTe/ZnTe:Cu复合层的深度比Au多,且大多呈离子态,与ZnTe/ZnTe:Cu复合层中的富Te离子形成NixTe,提高了掺杂浓度,使电池性能获得改善.
- 宋慧瑾郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚萍张静全李卫黎兵武莉莉雷智鄢强
- 关键词：金属背电极复合背接触层CDTE太阳电池
