上海市科学技术发展基金(02DJ14042)
- 作品数：6 被引量：20H指数：2
- 相关作者：吴建生钱士强张玉勤董显平章磊更多>>
- 相关机构：上海交通大学上海工程技术大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信电气工程更多>>
- 热锻TiNi形状记忆合金膨胀分析
- 2004年
- 用膨胀法研究了热锻变形非平衡状态TiNi合金的相变特征,结果表明:热锻变形态TiNi合金有两类截然不同的膨胀曲线,第 类在降温时膨胀,对应B2→M相变;第 类在降温时收缩,对应B2→R相变。热锻变形更有利于R相变发生。热锻变形态合金的相变温度较高,在0℃乃至室温以上。其发生相变时的线伸长变化量比较大。固溶处理后,合金的相变温度降低,线伸长变化量减小。
- 钱士强吴建生
- 关键词：TINI合金热变形R相变
- MEMS领域中形状记忆合金薄膜的研究与进展被引量：7
- 2006年
- 总结了近年来微机电系统(MEMS)领域中,Ti-Ni形状记忆合金(SMA)薄膜的制备与微加工工艺、形状记忆性能、加工性能、防腐耐磨性能及力学性能的研究进展,由此提出了MEMS领域中,SMA薄膜的使用要求和研究方向。
- 章磊谢超英吴建生
- 关键词：微机电系统形状记忆合金薄膜微加工工艺
- (Cr-Si-Ni)/Si薄膜的微观结构和电阻率被引量：10
- 2005年
- 采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了CrSiNi电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响。结果表明薄膜在溅射态和低于300℃热处理时为非晶态;退火温度高于300℃以后,薄膜中析出CrSi2晶化相;当退火温度达到600℃时,薄膜中还有少量多晶Si相析出,同时在薄膜与基底界面处还发生了原子的相互扩散;CrSi2晶化相成“岛”状结构,弥散分布在非晶绝缘基底上;薄膜室温电阻率随着退火温度的上升,呈先上升、后下降趋势;薄膜电阻率随退火温度的变化行为与薄膜微观结构的变化以及界面扩散有关。
- 张玉勤董显平吴建生
- 关键词：电阻薄膜微观结构电阻率
- Cr-Si-Ni电阻薄膜在酸碱溶液环境中的电学稳定性
- 2006年
- 采用磁控溅射方法制备了Cr-Si-Ni电阻薄膜,研究了薄膜在模拟酸性(0.1 mol/L HCl)和碱性(0.1 mol/L NaOH)溶液环境中的电学稳定性和长期使用可靠性。结果表明:在室温(25℃)时,500℃热处理后的纳米晶结构薄膜在酸性溶液环境中比在碱性溶液环境中具有更优异的电学稳定性和长期使用可靠性。在酸碱两种溶液中浸泡240 h后,薄膜试样的相对电阻变化(ΔR/R)分别为0.96%和3.31%。电化学实验和AES表面成分分析表明,在酸碱两种溶液中薄膜表面都能够形成致密稳定的SiO2保护层,而且酸性环境形成的钝化膜比碱性环境形成的钝化膜具有更好的腐蚀保护作用。
- 张玉勤董显平吴建生
- 关键词：电阻薄膜电学稳定性
- 真空蒸镀TiNiPd形状记忆合金薄膜研究被引量：1
- 2005年
- 通过真空蒸镀方法在硅片和玻片上制备了TiNiPd合金薄膜,使用能谱仪、差示扫描量热法和X射线衍射等方法,研究了薄膜的成分及随退火温度上升的晶化和结构变化情况。结果表明:真空蒸镀薄膜成分偏离镀材成分,钛含量降低,钯、镍含量升高;真空蒸镀薄膜的晶化温度在600℃左右;B2相、B19相和B19′相是真空蒸镀薄膜在晶化处理后的主要组成相;450℃×5 h预处理促进B2相向B19′相转变。
- 钱士强吴建生
- 关键词：真空蒸镀形状记忆合金
- Ti-50.6%Ni合金室温受压时的伪弹性表现被引量：2
- 2005年
- 在室温下研究了Ti 50.6%Ni(原子百分数)合金在 7 种状态(拉拔、回复、再结晶、固溶、低温时效、中温时效、高温时效)下的压缩伪弹性。结果表明,合金在室温受压时有明显的伪弹性表现,总回复率可达 90%。合金的压缩伪弹性主要与应力诱发R相有关。热处理工艺对合金的室温压缩伪弹性有显著的影响。高温时效态的压缩回复率最高,回复态和中温时效态的较低。
- 钱士强吴建生
- 关键词：TI-NI合金形状记忆效应伪弹性
