国家高技术研究发展计划(2008AA031401)
- 作品数：11 被引量：28H指数：4
- 相关作者：梁继然胡明陈弘达阚强林殷茵更多>>
- 相关机构：天津大学中国科学院复旦大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
- 2011年
- 采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
- 金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
- 对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理被引量：1
- 2009年
- 采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜，研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析，利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量．结果表明，经300～360℃热处理后，氧化钒薄膜的组分逐渐由V2O3和VO向VO2转变，薄膜由非晶态变为单斜金红石结构，具有金属半导体相变性能；增加热处理温度后，颗粒尺寸由20nm增大为100nm，薄膜表面变得致密，阻碍氧与低价态氧化钒的进一步反应，薄膜内VO2组分舍量的改变量不大；增加热处理时间后，薄膜内VO2组分的含量明显增加，相变幅度超过2个数量级.
- 梁继然胡明陈涛刘志刚
- 纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究被引量：7
- 2010年
- 采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。
- 梁继然胡明阚强王晓东李贵柯李昌青陈弘达
- 关键词：VO2
- 新型阻变存储器内的电压解决方案
- 2011年
- 相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。
- 廖启宏吴雨欣林殷茵
- 关键词：电荷泵压控振荡器温度
- 氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究被引量：4
- 2011年
- 利用直流对靶磁控溅射镀膜法,在Si衬底上制备出在太赫兹(THz)波段具有开关性能的氧化钒(VOx)薄膜。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)方法对VOx薄膜的组份和形貌进行表征。利用THz时域频谱系统(THz-TDS)对VOx薄膜的光致相变性能进行测试。实验表明,VOx薄膜在波长532 nm连续激光照射下具有明显的光致相变特性,且随着薄膜中V元素总体价态的升高,THz透射率达到峰值时的频率逐渐降低。
- 陈涛胡明梁继然后顺保吕志军栗力
- 关键词：频率特性
- Process Optimization for Random Threshold Voltage Variation Reduction in Nanoscale MOSFET by 3D Simulation
- Process optimization strategy to reduce random threshold voltage(Vt)variation for CMOS at 65nm and beyond is p...
- Hui LiHao ChenQing DongLele ChenJianping WangJeonggi KimShaofeng YuJingang WuYinyin Lin
- 不同升温热处理方式二氧化钒薄膜的制备与光学相变性能被引量：8
- 2010年
- 采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜,分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理,利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试,并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实验结果表明,经过常规和快速升温热处理后均获得了二氧化钒薄膜;快速升温热处理后得到的薄膜中二氧化钒晶粒较小,尺寸分布均匀;而常规升温热处理后的二氧化钒薄膜中晶粒尺寸分布较宽、常规和快速升温热处理后,氧化钒薄膜的光透过率均存在可逆突变特性,变化幅度均超过60%.相变性能分析结果表明,快速升温热处理获得的二氧化钒薄膜相变持续的温度宽度较大,光学相变温度为63.74℃,高于常规升温热处理的60.31℃.
- 梁继然胡明王晓东阚强李贵柯陈弘达
- 关键词：氧化钒薄膜红外透射光谱
- A Novel Method for Accurate Measurement and Decoupling of SRAM Standby Leakage
- A novel method for SRAM cell standby leakage measurement is presented,which enables accurate testing and decou...
- Qing DongYanan MaHao ChenHui LiYu JiangNingxi LiuWenxiang JianXiaoyong XueLele ChenJianping WangJeonggi KimShaofeng YuJingang WuYinyin Lin
- A Novel Low Power Wide Supply Voltage Range CMOS Temperature Sensor with -0.2/0.5℃ Error from -20℃ to 60℃
- This paper proposes a quite accurate CMOS temperature sensor designed and developed for monitoring enviromenta...
- Gang ChenXiaoyong XueQing DongFanjie XiaoHao ChenYinyin Lin
- 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明,在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下,氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降;经450,℃热处理后,氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性,相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降;在溅射功率为150,W时,获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜.
- 梁继然胡明梁秀琴阚强陈涛陈弘达
- 关键词：二氧化钒溅射功率磁控溅射
