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国家自然科学基金(69777005)

作品数：5 被引量：5H指数：1
相关作者：杜国同宋俊峰康博南刘杨殷景志更多>>
相关机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇光放大
  • 3篇光放大器
  • 3篇发光
  • 3篇发光管
  • 3篇放大器
  • 3篇辐射发光
  • 3篇半导体光放大...
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光管
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇磷化铟
  • 1篇晶体
  • 1篇光源
  • 1篇光子
  • 1篇光子晶体
  • 1篇二维光子
  • 1篇二维光子晶体
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波长
  • 1篇长波

机构

  • 4篇吉林大学

作者

  • 4篇宋俊峰
  • 4篇杜国同
  • 3篇殷景志
  • 3篇刘杨
  • 3篇康博南
  • 1篇常玉春
  • 1篇刘杨
  • 1篇李雪梅
  • 1篇付艳萍
  • 1篇刘琨
  • 1篇姜秀英
  • 1篇刘琨

传媒

  • 2篇中国激光
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2001
  • 3篇2000
共 5 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
长波长超辐射集成光源
2000年
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与传统长波长超辐射发光管相比有很大的提高。半导体光放大器的增益达到 19d B。
刘杨刘琨宋俊峰殷景志康博南杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器光源
二维光子晶体的带隙分析被引量：4
2000年
研究了三角形二维光子晶体的带隙随结构参数的变化规律。计算表明 ,对于空气柱等边三角形二维光子晶体 ,当介电常数比为 13:1时 ,最佳填充比为 0 .78,最大带宽是 0 .0 94 (Δωa/2πc) ;当填充比固定时 ,介电常数比大于 8才会有带隙出现 ,且介电常数比越大 ,带隙越宽 ;两个晶格矢量的夹角与最佳夹角偏离 60° ,向上最大达到 74°、向下最大达到 4 6°时带隙消失。
宋俊峰付艳萍刘杨常玉春康博南李雪梅杜国同
关键词：光子晶体
InGaAsP/InP超辐射集成光源
2000年
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,光谱宽度 (FWHM)为 2 8.9nm。通过对放大器增益特性的讨论 ,得出了既能稳定器件性能 ,又可以提高输出功率的有效工作方案。
刘杨刘琨宋俊峰殷景志康博南姜秀英杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器
倾斜结构InGaAsP/InP集成超辐射光源被引量：1
2001年
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,在原有的将超辐射发光管 (SLD)与半导体光放大器 (SOA)单片集成的基础上 ,将器件电流注入区中心轴线倾斜 6° ,制得了 1 5 μm倾斜结构的InGaAsP InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下 ,得到了 38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度 (FWHM )和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为 16nm ,15°和 6 4°。同时 ,通过对该集成器件特性的研究 。
刘杨曾毓萍宋俊峰殷景志杜国同
关键词：超辐射发光管半导体光放大器INGAASP磷化铟
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