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应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究被引量：3: 2012年; 在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件下,测得最大输出功率为10.212μW,短路电流和开路电压分别为28.763μA和0.458V,光电转换效率为5.106%。相对于常规Si太阳能电池复杂的制造工艺,本文太阳能电池阵列与CMOS工艺相兼容,可与电路系统集成从而实现片上供电。; 侯贺刚张世林郭维廉毛陆虹谢生韩磊; 关键词：CMOS 片上集成

基于多波束切换的便携式RFID阅读器设计被引量：9: 2013年; 研究了一种基于多波束切换技术的便携式RFID阅读器，详细阐述了射频模块中各硬件部分的工作原理以及芯片参数的确定，给出了多波束天线系统的设计方案以及整个阅读器系统的设计方案．该阅读器工作频率的范围为860～960MHz，并且符合IS018000—6C（EPCGen2）标准．将多波束切换型智能天线系统应用于RFID系统中，经理论证明，可提高现有阅读器的最大识别距离、覆盖区域等性能．; 张文锦李建雄毛陆虹; 关键词：RFID 阅读器智能天线

太阳能电池作为天线辐射体的RFID标签天线的设计被引量：3: 2013年; 利用HFSS v12软件设计了一种太阳能电池作为天线辐射体的RFID电子标签天线.利用太阳能电池的射频特性,将太阳能电池作为天线的辐射贴片.因此太阳能电池既可以提供能源,也可以发送和接收电磁波;提出的天线为多层结构,采用H形缝隙耦合馈电方式,可以较容易实现宽频谐振以及天线与芯片的阻抗匹配;给出了该天线的仿真结果,仿真结果表明天线性能良好,满足RFID应用要求.; 马建欢李建雄肖康张世林毛陆虹; 关键词：射频识别标签天线太阳能电池微带天线

基于相控阵天线的RFID系统设计被引量：1: 2012年; 设计了一种可扩展阅读范围的相控阵天线RFID系统。采用Intel R1000阅读器开发平台、MASWSS0204开关芯片,研制了功率分配器、移相器、天线阵,搭建了符合ISO 18000-6C和EPC globalGen 2标准、中心频率为915 MHz RFID阅读器系统。系统引入相控阵原理,并对阅读器进行了简单改动,设计了相控阵RFID系统的硬件组成结构和软件工作流程。设计的相控天线阵列由2×2个微带天线单元、3个功率分配器和1个移相器组成,使用FR4介质板材料制作。实验结果表明,该系统增大了RFID信号的覆盖范围。; 吴龙毛陆虹胡焙剑李建雄雷波; 关键词：RFID阅读器移相器功率分配器相控阵天线

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器被引量：14: 2012年; 提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。; 王倩毛陆虹张欢张世林谢生; 关键词：无源RFID 高分辨率 CMOS工艺

改进的RFID室内定位算法被引量：3: 2013年; 针对射频识别定位系统中RSSI线性定位算法的边界标签定位精度低问题,提出了一种改进的算法.该算法在边缘区域布置参考标签,并在这些布置参考标签的区域采用LANDMARC算法,而其它区域仍采用RSSI线性定位算法.使用MATLAB软件对算法进行仿真,结果表明:针对边界区域的定位标签,改进的算法比RSSI线性定位算法具有更好的定位精度,提高了整体定位区域的定位准确性;与LANDMARC算法相比,改进的算法由于使用较少的参考标签,所以降低了成本并且减少了算法的运行时间,从而提高了定位系统的实时性.; 段本亮李建雄陈明省毛陆虹; 关键词：射频识别接收信号强度指示

集成于无源UHF RFID标签的新结构CMOS温度传感器被引量：7: 2011年; 设计了一种集成于无源UHF RFID标签芯片的新结构温度传感器。利用高PSRR共源共栅结构的电流镜偏置电路产生两路温度系数相反的电流,实现了偏置电流对电源电压和温度补偿。与温度相关的脉冲信号由类似差分的结构产生,有效的克服了工艺偏差导致的误差。计数时钟信号由标签内部振荡器提供,振荡器频率受偏置电流控制近似与电源电压和温度无关。采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺,仿真结果表明:电源电压为1.8V,温度在-10℃～100℃变化时,偏置电流为112 nA,标签提供的时钟信号频率为2 MHz,温度传感器有效分辨率为0.5℃/LSB,工作电流为774 nA。; 张欢毛陆虹王倩谢生张世林; 关键词：无源RFID CMOS

A novel power amplifier structure for RFID tag applications: 2011年; A novel matching method between the power amplifier （PA） and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm^2 in a 0.18μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.; 邓见保张世林李德张艳征毛陆虹谢生; 关键词：CMOS RFID

应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器被引量：3: 2014年; 基于IBM 0.18μm SiGe BICMOS工艺,采用温度脉冲转换方式设计了一种应用于无源RFID标签的温度传感器。与绝对温度呈正比(PTAT)的电流源和电流饥饿环型振荡器产生频率与温度呈正相关的振荡信号,作为计数器的时钟信号;用数字模块对接收的帧头代码进行处理得到一个宽度为200μs的脉冲信号,作为计数器的使能信号;利用时域数字量化方式就可以得到不同温度下的数字信号。温度传感器总面积为0.03 mm2,温度在-100~120℃范围内变化时,振荡器输出频率范围由800 kHz^1.8 MHz。在1.8 V电源电压下,温度传感器平均输出电流约为13μA,芯片测试结果的有效分辨率可以达到0.864 LSB/℃。; 周恩辉肖谧毛陆虹张世林谢生; 关键词：温度传感器振荡器射频识别 SIGE BICMOS

一种电流注入式零中频正交混频器被引量：6: 2012年; 设计了一种用于900MHz RFID阅读器的零中频正交下变频混频器,该混频器采用共跨导级正交结构,并利用电流注入技术减小噪声,在UMC0.18μmCMOS工艺下实现。整个芯片分为三部分,混频器、带隙基准以及缓冲器,总面积为1.1mm2。混频器在1.8V电压下消耗电流3.7mA,带宽范围880～940MHz,增益16.42dB,三阶截点为-4.625dBm,在100kHz处噪声系数为15.2dB。芯片能够达到阅读器的性能要求。; 谷江毛陆虹门春雷; 关键词：下变频混频器正交电流注入零中频

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国家自然科学基金(61072010)

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