国家重点实验室开放基金(KL201104)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 相关作者：黄仕华董晶刘剑陈焕时利涛更多>>
- 相关机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 镶嵌在介质层中纳米晶的单电子能级的精确求解
- 2012年
- 假设镶嵌在介质层(如SiO2、SiC)中的纳米晶(如Si、Ge、Sn)为球形量子点,考虑到电子在纳米晶和介质层中的有效质量差异,对镶嵌在介质层中单电子的所有束缚态的能量和波函数进行精确求解,分析了量子点半径、势垒高度、电子有效质量等对能级的影响。计算结果表明,量子限制效应随着量子点半径的减小而急剧增强,不同材料电子的有效质量对电子能级也有重要影响。Sn纳米晶的半径为22nm左右,Ge的半径和Si的半径分别约为10nm和7nm时,能观察到较为明显的量子限制效应。本模型提出的计算方法快速而准确,并适用于任意尺寸、任意势垒和任意材料的球方势阱量子点系统。
- 黄仕华陈焕
- 关键词：纳米晶球形量子点
- PECVD法制备氢化非晶硅薄膜材料被引量：1
- 2014年
- 采用等离子增强化学气象沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)法在普通玻璃上沉积非晶硅薄膜材料.通过控制变量分别研究了p,n层的掺杂浓度、氢稀释度及i层的反应气压对薄膜材料性能的影响.结果表明:p层材料在掺杂浓度为6.67%、氢稀释度为10.6时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;n层材料在掺杂浓度为3.33%、氢稀释度为8.3时有较高的暗电导率和较低的沉积速率;i层材料在反应气压为95 Pa、氢稀释度为15时有较高的光暗电导率之比.
- 黄仕华董晶沈佳露刘剑
- 关键词：PECVD非晶硅薄膜电导率
- Si衬底上采用溅射Fe/Si纳米多层结构制备β-FeSi_2薄膜
- 2012年
- 采用磁控溅射的方法在Si衬底上生长Fe/Si多层膜,退火后形成了硅化物薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)研究了Fe/Si膜厚比和退火温度对薄膜结构特性的影响。研究表明,当Fe/Si膜厚比为1/2,预先在衬底上沉积Fe缓冲层,退火温度为750℃,形成的硅化物为β-FeSi2,晶粒的平均尺寸大约为50nm,且分布得比较均匀。如果Fe/Si厚度比为1/1或3/10时,形成的硅化物为ε-FeSi。随着退火温度的升高,Fe/Si之间的相互扩散逐渐增强,当退火温度为1 000℃时,形成了富硅的二硅化物的高温相α-FeSi2。
- 时利涛黄仕华
- 关键词：磁控溅射Β-FESI2膜厚比
- 碱液环境下电化学腐蚀多晶硅的研究被引量：4
- 2013年
- 主要介绍了在NaOH溶液中,利用电化学技术腐蚀制备多晶硅绒面的新方法。实验中,通过改变腐蚀液浓度、腐蚀电压、腐蚀温度等因素,制得一系列多晶硅绒面。实验结果表明,当腐蚀碱液浓度为20%,腐蚀电压为20V,腐蚀温度为25℃时,腐蚀得到的硅片表面比较均匀,在波长400～800nm范围内,测量得表面反射率最低为19%左右。
- 顾静琰黄仕华
- 关键词：多晶硅电化学腐蚀
