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国家自然科学基金(10875096)

作品数:6 被引量:25H指数:4
相关作者:陈伟郭红霞王桂珍林东生白小燕更多>>
相关机构:西北核技术研究所清华大学中国航天北京微电子技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单粒子
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇特征尺寸
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量效应
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电路
  • 1篇亚微米
  • 1篇甄别
  • 1篇质子
  • 1篇深亚微米
  • 1篇深亚微米MO...
  • 1篇偏置
  • 1篇中子
  • 1篇微米
  • 1篇截面
  • 1篇截面计算
  • 1篇解析模型
  • 1篇静态存储器
  • 1篇核反应

机构

  • 5篇西北核技术研...
  • 2篇清华大学
  • 1篇中国航天北京...

作者

  • 5篇郭红霞
  • 5篇陈伟
  • 2篇郭晓强
  • 2篇杨善潮
  • 2篇丁李利
  • 2篇王忠明
  • 2篇刘岩
  • 2篇白小燕
  • 2篇范如玉
  • 2篇林东生
  • 2篇王桂珍
  • 1篇姚志斌
  • 1篇罗尹虹
  • 1篇张科营
  • 1篇何宝平
  • 1篇赵雯
  • 1篇张凤祁
  • 1篇王园明
  • 1篇闫逸华
  • 1篇孙华波

传媒

  • 3篇原子能科学技...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
A software solution to estimate the SEU-induced soft error rate for systems implemented on SRAM-based FPGAs
2011年
SRAM-based FPGAs are very susceptible to radiation-induced Single-Event Upsets (SEUs) in space applications. The failure mechanism in FPGA's configuration memory differs from those in traditional memory device. As a result, there is a growing demand for methodologies which could quantitatively evaluate the impact of this effect. Fault injection appears to meet such requirement. In this paper, we propose a new methodology to analyze the soft errors in SRAM-based FPGAs. This method is based on in depth understanding of the device architecture and failure mechanisms induced by configuration upsets. The developed programs read in the placed and routed netlist, search for critical logic nodes and paths that may destroy the circuit topological structure, and then query a database storing the decoded relationship of the configurable resources and corresponding control bit to get the sensitive bits. Accelerator irradiation test and fault injection experiments were carried out to validate this approach.
王忠明姚志斌郭红霞吕敏
SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟被引量:6
2010年
应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转截面,认为小尺寸SRAM器件的低能中子单粒子翻转效应更为严重。
郭晓强郭红霞王桂珍林东生陈伟白小燕杨善潮刘岩
关键词:中子单粒子翻转GEANT4特征尺寸
辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究被引量:5
2013年
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应。所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态。
丁李利郭红霞陈伟范如玉王忠明闫逸华陈雷孙华波
关键词:总剂量效应MOS器件解析模型
随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应被引量:10
2009年
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
郭晓强郭红霞王桂珍林东生陈伟白小燕杨善潮刘岩
关键词:单粒子效应反应堆特征尺寸
CMOS电路总剂量效应最劣偏置甄别被引量:2
2012年
采用电路分析和解析建模方法研究了CMOS电路中甄别总剂量效应最劣辐照与测试偏置的问题。通过引入小规模模拟电路和数字电路的例子进行具体分析,获取了不同电路的最劣偏置情况。对于数字电路,引入了敏感因子的概念用于定量计算不同辐照与测试偏置组合下电路的总剂量效应敏感程度。利用实测数据或电路仿真结果对甄别结果进行了一一验证,得到相一致的结论,证明了该研究思路的正确性。
丁李利郭红霞王忠明陈伟范如玉
关键词:CMOS电路总剂量效应
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算被引量:4
2010年
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。
王园明陈伟郭红霞何宝平罗尹虹姚志斌张凤祁张科营赵雯
关键词:质子
共1页<1>
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