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北京市教委科技发展计划(KM200610005016)

作品数:3 被引量:22H指数:2
相关作者:韦奇聂祚仁李群艳王艳丽于春晓更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市教委科技发展计划国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇疏水
  • 2篇疏水性
  • 2篇介孔
  • 2篇介孔氧化硅
  • 2篇孔结构
  • 1篇修饰
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇热法
  • 1篇微孔
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米氧化锡
  • 1篇介孔氧化硅薄...
  • 1篇基团
  • 1篇基团修饰
  • 1篇硅膜
  • 1篇二氧化硅膜

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇韦奇
  • 2篇于春晓
  • 2篇王艳丽
  • 2篇李群艳
  • 2篇聂祚仁
  • 1篇王飞
  • 1篇钟振兴
  • 1篇邹景霞
  • 1篇邹泽昌
  • 1篇孙慧

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇化学学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
介孔氧化硅材料组装纳米氧化锡的研究被引量:2
2009年
采用水热晶化法一步合成了掺杂不同锡含量(以n(Si)/n(Sn)表示)的介孔结构氧化硅(MPS)复合材料。通过XRD、N2吸附-脱附、TEM、UV-Vis等分析测试技术对样品的结构进行表征。结果表明,当n(Si)/n(Sn)=100时,大多数锡以四配位状态存在于MPS骨架中;随锡的含量增加到n(Si)/n(Sn)=50时,MPS孔道内出现晶态SnO2纳米颗粒,并保持了良好的介观有序度和孔结构;进一步添加锡到n(Si)/n(Sn)=10时,更多的纳米SnO2颗粒分布在MPS孔道中,但其有序度遭到一定程度的破坏。
孙慧邹泽昌韦奇
关键词:介孔氧化硅纳米氧化锡水热法
碳氟基团修饰的疏水微孔二氧化硅膜的制备与表征被引量:12
2008年
采用三氟丙基三乙氧基硅烷(TFPTES)和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,通过溶胶-凝胶法制备了三氟丙基修饰的SiO2膜材料.利用扫描电镜、N2吸附、红外光谱仪以及视频光学接触角测量仪对膜的断面形貌、孔结构以及疏水性能进行了表征.结果表明,随着三氟丙基三乙氧基硅烷加入量的增大,膜的疏水性逐渐增强,膜的孔结构基本保持不变.当TFPTES/TEOS的物质的量之比达到0.6时,膜对水的接触角达到111.6°±0.5°,膜材料仍保持良好的微孔结构,其孔体积为0.19cm3·g-1,孔径为0.97nm.氢气在修饰后SiO2膜中的输运遵循微孔扩散机理,200℃时膜材料的H2渗透率达到1.18×10-7mol·m-2·Pa-1·s-1,H2/CO2的分离系数达到7.0.
王飞韦奇王艳丽于春晓钟振兴李群艳聂祚仁
关键词:孔结构疏水性
疏水介孔二氧化硅膜的制备与表征被引量:10
2007年
用甲基三乙氧基硅烷(MTES)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,以聚乙烯醚-聚丙烯醚-聚乙烯醚三嵌段共聚物(P123)作有机模板剂,通过共水解缩聚反应制备了甲基修饰的介孔SiO2膜。利用N2吸附、FTIR、29SiMASNMR以及接触角测量仪对膜的孔结构和疏水性进行了表征。结果表明,修饰后的膜材料具有良好的介孔结构,最可几孔径为4.65nm,孔体积为0.69cm3·g-1,比表面积为938.4m2·g-1;同时疏水性明显提高,当nMTES/nTEOS达到1.0时,其对水的接触角达到109°±1.1°。气体渗透实验表明气体通过膜孔的扩散由努森机制所控制。
于春晓韦奇王艳丽李群艳聂祚仁邹景霞
关键词:介孔氧化硅薄膜孔结构疏水性
共1页<1>
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