您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(10321003)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：谭永胜方泽波陈圣朱燕艳蒋最敏更多>>
相关机构：绍兴文理学院复旦大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇栅介质
  • 1篇非晶
  • 1篇高K栅介质

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇绍兴文理学院

作者

  • 1篇蒋最敏
  • 1篇朱燕艳
  • 1篇陈圣
  • 1篇方泽波
  • 1篇谭永胜

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究被引量：8
2008年
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏
关键词：高K栅介质
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0