国家自然科学基金(10205010)
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 相关作者：蒋昌忠林玲石瑛付德君范湘军更多>>
- 相关机构：武汉大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Mn^+离子注入GaN薄膜的磁性研究被引量：2
- 2005年
- 在(0001)面的蓝宝石衬底上用MOCVD法生长纤锌矿结构的GaN。GaN膜总厚度为4μm,表层为0.5μm厚的掺Mg的p型层。用90keV的Mn+离子对处于室温下的GaN进行离子注入,注入剂量为1×1015~5×1016ions/cm2。对注入的样品在N2气流中经约800℃进行快速热退火处理,时间为30~90s。样品的磁性用超导量子干涉仪(SQUID)进行分析。未注入的p型GaN薄膜是抗磁性的,而Mn+注入的GaN显现顺磁性(注入剂量为1×1015ions/cm2)和铁磁性(注入剂量为5×1015~5×1016ions/cm2)。结合X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对GaN薄膜在注入和退火后的结构和形貌研究,揭示Mn+注入是进行GaN磁性掺杂的有效手段,在Mn+注入p型GaN、制备得到的(Ga,Mn)N稀磁半导体中,空穴调制铁磁性是其主要的磁性机制。
- 石瑛付德君林玲蒋昌忠范湘军
- 关键词：GAN离子注入磁性
- Mn^+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性被引量：2
- 2004年
- 用低压MOCVD法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长纤锌矿结构的GaN.GaN膜总厚度为4μm,包括0.5μm掺Mg的p型表面层.Mn+离子注入的能量为90keV,剂量为1.0×1015～5.0×1016cm-2,被注入的p型GaN处于室温.对注入样品的快速热退火处理是在N2气流中进行的,温度约为800℃,时间为30～90s.采用X射线衍射(XRD)、卢瑟福背散射(RBS)和原子力显微镜(AFM)研究,发现Mn+注入GaN膜的结构受注入剂量和退火条件的控制.通过超导量子干涉仪(SQUID)分析,在Mn+注入剂量为5.0×1015cm-2、并经850℃退火30s的GaN膜中发现了铁磁性,表明离子注入方法是进行GaN掺杂改性的有效手段.
- 石瑛林玲蒋昌忠付德君范湘军
- 关键词：GAN薄膜离子注入半导体材料超导量子干涉仪
- GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态被引量：7
- 2004年
- 离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视。综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论。
- 林玲石瑛蒋昌忠
- 关键词：稀磁半导体铁磁性离子注入束流居里温度
