北京市人才强教计划项目(0020005412A001)
- 作品数：12 被引量：19H指数：3
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- 有源电感复用型2.4GHz/5.2GHz双频段LNA被引量：2
- 2014年
- 采用可调谐有源电感复用结构，设计了一款用于3GTI）-SCDMA和WLAN的2．4GHz／5．2GHz双频段低噪声放大器（DBLNA）。2．4GHz频段电路采用折叠共源共栅（FC）结构，5．2GHz频段电路采用共栅（CG）结构。FC和CG结构均采用可调谐有源电感，通过调谐有源电感的等效阻抗，优化匹配到源阻抗。基于TSMC0．18μmCMOS工艺，实现了有源电感复用型DB-LNA。ADS仿真结果表明，频率为2．4GHz时，S21—35dB，NF一4．42～4．59dB，IIP3—0dBm，P-1dB-14dBm频率为5．2GHz时，S21=34dB，NF=2．74～2．75dB，IIP3=-5dBm，P-1dB=-9dBm。
- 周孟龙张万荣谢红云金冬月丁春宝高栋张卿远鲁东霍文娟
- 关键词：低噪声放大器双频段TD-SCDMA
- 基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器被引量：1
- 2014年
- 设计了一款基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成，其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联，实现输入匹配及噪声抵消；放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗；输出缓冲级采用源跟随器结构，实现良好的输出匹配。基于TSMC0．18μmCMOS工艺库，验证表明在C频段，放大器的增益为20．4±0．5dB，噪声系数介于2．3～2．4dB之间，输入和输出的回波损耗均优于-11dB，稳定因子恒大于1，在6．5GHz下，1dB压缩点为-16．6dBm，IIP3为-7dBm，在2．5V电压下，电路功耗仅为6．75mW。
- 赵飞义张万荣丁春宝陈昌麟胡瑞心卓汇涵江之韵白杨陈亮
- 关键词：差分低噪声放大器噪声抵消电流复用增益平坦度低功耗
- SiGe HBT双频段可变增益放大器设计被引量：2
- 2012年
- 提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流驱动技术和发射极串联电感来减小噪声和输入阻抗的影响,进而实现大动态的增益变化。输入级通过电容电感串并联方法实现双频段的输入匹配。放大级使用Cascode结构和电流复用技术来提高增益和减小功耗。采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.5mm2。仿真结果表明,当控制电压从0V到1.4V变化时,DBVGA在2.2GHz和5.2GHz下的增益可变范围分别达到30dB和16dB,最大增益处的噪声分别为2.3dB和3.2dB,输入和输出驻波比约1.5。
- 路志义谢红云张万荣霍文娟郭振杰邢光辉张瑜洁丁春宝金冬月
- 关键词：电流复用HBT
- 负阻补偿型CMOS高Q值超宽带可调谐有源电感被引量：1
- 2013年
- 基于CMOS有源器件和传输线,提出了一款面积小、电感值大、品质因子(Q)高的超宽带可调有源电感电路拓扑。该有源电感利用CMOS有源器件级联反馈结构提供偏置,采用负阻补偿网络补偿有源电感正电阻损耗,增大了Q值,同时也实现了对有源电感器电感值的调谐。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了有源电感的电路和版图。ADS仿真验证表明,在3.1～5.2GHz工作频率范围内,随外部偏置的不同,等效电感值的可调范围为1.65～4.06nH(在3.1GHz下)和0.06～40.9nH(在5.2GHz下),Q值最小达到1 002.9,面积仅为65×86(μm2)。
- 周孟龙张万荣谢红云金冬月丁春宝高栋张卿远鲁东霍文娟
- 关键词：CMOS有源电感
- 一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器被引量：2
- 2013年
- 提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽频带内,当电压在0.7～2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60dB,3dB带宽大于7GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB。
- 邢光辉张万荣谢红云丁春宝郭振杰路志义张瑜洁张卿远
- 关键词：超宽带可变增益放大器
- 应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感被引量：4
- 2013年
- 针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式。最后基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成电路设计与仿真,应用Cadence Virtuoso平台完成版图设计。改进之后的有源电感,通过改变外加偏置条件,实现了电感值和品质因子Q值的可调,电感值可调范围为0.35～2.72 nH,Q值最大值可达1 172,版图面积仅为51μm×35μm。该有源电感应用于射频电路中,可取代无源电感。与无源电感相比,品质因子Q值明显提高,版图面积大大减小,更利于集成。
- 赵彦晓张万荣谢红云郭振杰丁春宝付强
- 关键词：有源电感回转器品质因子
- 射频前端宽带高Q值可调节集成有源电感被引量：5
- 2012年
- 针对传统接地有源电感的电感值低、Q值低等缺点,提出了一种改进型的有源电感,并给出了等效电路图及等效阻抗的表达式。基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence软件,完成了电路和版图设计。提出的有源电感,在频率小于5GHz时,其等效电感值随频率变化很小,大于5GHz后,随频率变化略有增大。通过改变外加偏置电压,实现了电感值和Q值的可调,电感值可调范围为1.035～5.631nH,Q值最大值可达到1 557;同时,也可调节有源电感Q值达到最大值时所对应的工作频率。
- 郭振杰张万荣谢红云金冬月丁春宝陈亮邢光辉路志义张瑜洁
- 关键词：有源电感回转器品质因子反馈电阻
- 基于有源电阻反馈和分流支路的新型有源电感被引量：2
- 2013年
- 针对传统有源电感等效电感值低、品质因数(Q)低、频带窄的缺点,在传统共源共栅有源电感的基础上,提出了具有有源电阻反馈和分流支路的改进型有源电感电路,给出了其等效电路模型及各等效参数的表达式。基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦ADS仿真工具,对有源电感电路进行仿真验证。结果表明,在0～7.7GHz频段内,等效电感值在5.67～43nH范围内变化。在4.5～6.7GHz频段内,Q值大于20,且在5.7GHz时达到最大值2 757。改变有源电感的偏置条件,可获得不同的有源电感性能,可以很好地满足射频电路对电感的高Q值、大电感值、可调谐、小面积的需求。
- 高栋张万荣谢红云金冬月丁春宝赵彦晓周孟龙张卿远邵祥鹏鲁东霍文娟
- 关键词：有源电感回转器共源共栅品质因子分流支路
- 一种基于SiGe HBT的宽动态范围可变增益放大器被引量：1
- 2013年
- 基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA)。放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制级和输出级。采用新提出的增益控制结构,实现了较宽的增益动态范围。采用安捷伦的ADS仿真工具,对设计的电路进行仿真验证。结果表明,当控制电压从1.5V到3.0V变化时,VGA的增益在-39～30dB范围内连续变化,S11和S22在整个电压变化范围内均小于-11dB,3dB带宽超过600MHz;最大增益时,噪声系数小于5dB。
- 张卿远张万荣邢光辉高栋周孟龙邵翔鹏鲁东霍文娟
- 关键词：可变增益放大器锗硅异质结双极晶体管
- 基区不同Ge组分分布的多指SiGe HBT热学特性
- 2012年
- 基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的热学特性的影响。结果表明,基区Ge组分为梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT的增益随温度变化比较平缓,各发射极指的峰值温度明显小于矩形分布的各指峰值温度,器件纵向和表面温度分布也更加均匀,因此,与矩形分布相比,梯形分布和三角形分布的多指SiGe HBT在热学特性上有了很大的改善,电学特性也相对热稳定。在这三种结构中,梯形分布可以更好地兼顾增益特性和热学特性。
- 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强赵昕
- 关键词：HBTGE组分分布温度分布热学特性增益特性
