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基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器: 为了实现对传统谐振腔增强型（RCE）光探测器的优化,本文提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器,并从理论上分析了该光探测器的量子效率和高速响应特性,进而将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光...; 王伟黄永清段晓峰蔡世伟郭经纬黄辉任晓敏; 关键词：光电子学量子效率; 文献传递

InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：6: 2007年; 借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。; 王琦任晓敏熊德平周静吕吉贺黄辉黄永清蔡世伟; 关键词：光探测器

用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2: 2009年; 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。; 李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏

一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计被引量：15: 2009年; 高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求。利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中。仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40μm至1.62μm范围内反射率高于99%。引入SWG后的RCE PD在1.55μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB。有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题。; 杨一粟黄永清黄辉王琦任晓敏; 关键词：光电子学亚波长光栅光探测器

1.3μm InGaNAs/GaAs多量子阱“一镜斜置三镜腔”光探测器被引量：3: 2009年; 报道了一种基于InGaNAs/GaAs多量子阱的1.3μmGaAs基"一镜斜置三镜腔"光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)和InGaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长"一镜斜置三镜腔"光探测器。探测器的峰值响应波长位于1298.4nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10-13A/μm2。; 徐玉峰黄永清黄辉倪海桥牛智川任晓敏; 关键词：光探测器多量子阱

新型双吸收层谐振腔增强型光电探测器量子效率的传输矩阵法分析: 随着光纤通信技术的发展,高量子效率、高速响应光电探测器在长距离高速光纤通信系统中的作用尤显突出。本文利用传输矩阵法对新型双吸收层光电探测器（RCE-PINIP）的量子效率进行了理论计算,然后用Mathcad软件对其进行了...; 谢三先黄永清刘庆段小峰王伟黄辉任晓敏; 关键词：量子效率; 文献传递

基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1: 2010年; 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。; 宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏; 关键词：低温键合 GAAS/INP

温度对基于金辅助金属氧化物化学气相沉积生长的GaAs纳米线影响: 近年来,由于纳米线所具有的新颖的物理特性,使其在电子学和光学等领域有着广阔的应用前景,引起了广泛关注。利用金辅助的金属氧化物化学气相沉积法在气-液-固生长机制下GaAs（111）B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生...; 郭经纬黄辉叶显任晓敏蔡世伟王伟王琦黄永清张霞; 关键词：纳米线砷化镓; 文献传递

耦合微环谐振腔光波导有限尺寸效应的优化被引量：1: 2009年; 对耦合微环谐振腔光波导中的有限尺寸效应进行了研究.在CMROW两端引入抗反射结构,采用数值方法对抗反射中的三个交叉耦合系数进行了优化,消除了透射谱和群时延谱的有限尺寸效应.数值计算得到了弱耦合和强耦合情况下抗反射结构中优化交叉耦合系数的拟合公式,可以直接计算出消除有限尺寸效应时所需的优化参量.; 徐玉峰黄辉黄永清陈海波任晓敏; 关键词：微环谐振腔有限尺寸效应

InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备: 2007年; 叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管(HBT)单片集成实现光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和HBT采用共享层结构,这样的结构不仅性能优于堆叠层结构,而且制备工艺兼容。制备的HBT截止频率达到30 GHz,pin光探测器的3 dB带宽达到了15 GHz,集成光接收前端的3 dB带宽达到3 GHz,跨阻放大倍数达到800。; 李轶群崔海林苗昂吴强黄辉黄永清任晓敏; 关键词：光电集成 HBT PIN光探测器

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