陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 相关作者：高勇冯松何凌空薛斌更多>>
- 相关机构：西安理工大学西安工程大学更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- 四象限光电探测器高温输出自激失效分析
- 2013年
- 针对某型激光导引头所用的四象限光电探测器高温环境试验过程中出现的输出自激失效现象,确定了失效物理模型和失效模式,搭建了失效现象复现测试电路,通过半破坏性开封、光学镜检和波谱分析,提出探测器光敏面沟阻隔离区在工艺过程受离子污染,使沟阻隔离区反型是导致四象限光电探测器输出自激的根本原因。根据光电探测器光敏面隔离区表面反型产生输出自激的失效机理,针对电极膜真空蒸镀工艺引入有害离子的具体原因,对电极膜制作工艺路线进行了改进。经生产实践证明,改进后的工艺方法可有效消除该类失效模式的产生。
- 何凌空高勇
- 关键词：四象限探测器
- 微纳米SiGe-SOI弯曲波导的设计
- 2015年
- 在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法相结合的方法,对SiGe-SOI弯曲光波导进行了弯曲损耗分析,得到了弯曲半径对弯曲损耗的影响,给出了影响微纳米SiGe-SOI弯曲光波导设计的敏感参数。最后根据理论分析的结果,绘制了不同宽度的光波导版图,制作了微纳米SiGe-SOI弯曲光波导,并对其进行了测试分析,最终实验结果与理论分析一致,从而验证了该设计方法和理论分析的正确性。
- 冯松高勇薛斌
- 关键词：光子器件弯曲损耗
- 微纳米PIN电光调制器的优化被引量：4
- 2014年
- 在微纳米PIN电光调制器的基础上,分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系,采用在驱动信号中加入正反向预加重电压的调制电压方式,不仅可以提高注入载流子浓度,而且可以缩短反向抽取载流子所用的时间,从而有效提高电光调制器的调制速度;详细分析了PIN电光调制器结构中内脊高度H、外脊高度h,波导脊宽W以及重掺杂区到波导的距离Ws等参数对其调制特性的影响;最终根据数据的分析,给出了优化后的参数,制作了电光调制器并进行了测试,测试结果验证了文中数据分析的正确性。
- 冯松高勇
- 关键词：光电器件电光调制器PIN结构载流子浓度
- SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
- 2013年
- 基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考。
- 冯松高勇
- 关键词：定向耦合器
- IGBT阻断能力的优化设计
- 2013年
- 阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。
- 冯松高勇
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管场限环
